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P0口的结构及特点 P0口的某位P0.n(n=0~7)结构图,它由一个 输出锁存器、两个三态输入缓冲器和输出驱动电路 及控制电路组成。从图中可以看出,P0口既可以作 为I/O用,也可以作为地址/数据线用。 D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口引脚 1 P0口作为普通I/O口 ①输出时:CPU发出控制电平“0”封锁“与”门,将输出上拉场效应管T1截止,同时使多路开关MUX把锁存器与输出驱动场效应管T2栅极接通。故内部总线与P0口同相。由于输出驱动级是漏极开路电路,若驱动NMOS或其它拉流负载时,需要外接上拉电阻。P0的输出级可驱动8个LSTTL负载。 D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口引脚 ② 输入时:分读引脚或读锁存器 读引脚:由传送指令(MOV)实现; 下面一个缓冲器用于读端口引脚数据,当执行一条由端口输入的指令时,读脉冲把该三态缓冲器打开,这样端口引脚上的数据经过缓冲器读入到内部总线。 D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口引脚 ② 输入时:分读引脚或读锁存器 读锁存器:有些指令 如:ANL P0,A称为“读-改-写” 指令,需要读锁存器。上面一个缓冲器用于读端口锁存器数据。 D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口引脚 **原因:如果此时该端口的负载恰是一个晶体管基极,且原端口输出值为1,那么导通了的PN结会把端口引脚高电平拉低;若此时直接读端口引脚信号,将会把原输出的“1”电平误读为“0”电平。现采用读输出锁存器代替读引脚,图中,上面的三态缓冲器就为读锁存器Q端信号而设,读输出锁存器可避免上述可能发生的错误。** D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口引脚 准双向口: 从图中可以看出,在读入端口数据时,由于输出驱动FET并接在引脚上,如果T2导通,就会将输入的高电平拉成低电平,产生误读。所以在端口进行输入操作前,应先向端口锁存器写“1”,使T2截止,引脚处于悬浮状态,变为高阻抗输入。这就是所谓的准双向口。 D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口引脚 2 P0作为地址/数据总线 在系统扩展时,P0端口作为地址/数据总线使用时,分为: P0引脚输出地址/数据信息。 CPU发出控制电平“1”,打开“与”门,又使多路开关MUX把CPU的地址/数据总线与T2栅极反相接通,输出地址或数据。由图上可以看出,上下两个FET处于反相,构成了推拉式的输出电路,其负载能力大大增强。 D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口引脚 P0引脚输出地址/输入数据 输入信号是从引脚通过输入缓冲器进入内部总线。 此时,CPU自动使MUX向下,并向P0口写“1”,“读引脚”控制信号有效,下面的缓冲器打开,外部数据读入内部总线。 真正的双向口—— D Q CLK Q MUX P0.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址/数据 控制 VCC T1 T2 P0口引脚 P1口的结构及特点 它由一个输出锁存器、两个三态输入缓冲器和输出驱动电路组成----准双向口。 D Q CLK Q P1.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 VCC R T P1口引脚 P2口的结构及特点 1 P2口作为普通I/O口 CPU发出控制电平“0” ,使多路开关MUX倒向锁存器输出Q端,构成一个准双向口。其功能与P1相同。 D Q CLK Q MUX P2.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址 控制 VCC R T P2口引脚 2 P2口作为地址总线 在系统扩展片外程序存储器扩展数据存储器且容量超过256B (用MOVX @DPTR指令)时,CPU发出控制电平“1”,使多路开关MUX倒内部地址线。此时,P2输出高8位地址。 D Q CLK Q MUX P2.n 读锁存器 内部总线 写锁存器 读引脚 地址 控制 VCC R T P2口引脚 P3口的结构及特点 D Q CLK Q P3.n 读锁存器 内
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