掺杂zno的第性原理研究.pdfVIP

Classified Index: CODE:10075 U.D.C NO A Dissertation for the Degree of M.Science First-Principles study of doped ZnO Candidate: Shi Shou-shan Supervisor: Ass.Prof. Yan Xiao-bing Academic Degree Applied for: Master of Science Microelectronics and Solid State Specialty: Electronics University: Hebei University Date of Oral Examination: June, 2014 摘 要 摘 要 本文通过第一性原理方法，从理论角度研究掺杂 ZnO 的电子结构（包括能带结构、 电子态密度）和光学性质（包括介电函数、光吸收谱）。氧化锌（ZnO ）是一种有着广 泛的应用前景的宽带隙半导体材料，属 II-VI 族,在光电和压电等方面有着优越的价值。 在室温下禁带宽度为 3.37eV，束缚激子能高达 60meV 。由于它在紫外波段存在受激发 射而成为一种重要的光电材料并引起人们的极大重视。ZnO 在紫外发光二极管、太阳 能电池、液晶显示器、气体传感器、紫外半导体激光器以及透明导电薄膜方面有广阔的 应用前景。最近几年，研究人员发现掺入其它元素能够改变 ZnO 的性质，性能获得更 优的发挥。 我们研究了 In-Ga 、In-Ta、Al-H 共掺杂 ZnO 能带结构、总体态密度、分波态密度、 复介电函数、吸收光谱等性质，探讨了微观结构与宏观光学响应的关系，通过比较，我 们的计算结果和其他理论、实验值符合的很好。研究结果表明：掺杂 In-Ga 、In-Ta 后在 导带底出现大量由掺杂原子贡献的自由载流子- 电子，优化了ZnO 的电学性能；三种共 掺杂的导带和禁带都向低能级方向移动，费米能级移入导带，简并化效应更加剧烈。 In-Ga 共掺杂 ZnO 后晶胞体积增大，掺杂 In 晶胞体积缩小，掺杂 Ga 晶胞体积膨胀， 共掺杂后晶胞体积膨胀是由掺入的 Ga 决定的。在 ZnO 禁带中引入杂质能级，同时禁带 宽度变小，导电能力增强，共掺杂后 ZnO 吸收带边出现红移，在可见光区域吸收明显 减弱。并用 IGZO 薄膜实验与计算值进行了对比，结果是准确的。 In-Ta 共掺杂 ZnO 后晶胞体积增大，掺杂 In 晶胞体积缩小，掺杂Ta 晶胞体积膨胀， 共掺杂后晶胞体积膨胀是由掺入的 Ta 决定的。在 ZnO 禁带中引入杂质能级，同时禁带 宽度变小，导电能力增强，共掺杂后 ZnO 吸收带边出现红移，在可见光区域不同波长 有着不同的吸收变化。 单掺杂 Al 和 H 体积膨胀，共掺杂后晶胞体积膨胀，共掺杂后晶胞体积膨胀是二者 共同决定的。ZnO 禁带宽度增大，导电能力减弱，共掺杂后 ZnO 吸收带边出现蓝移， 在可见光区域吸收增强。理论计算结果与已报道文献实验值一致。 关键词 ZnO 第一性原理 密度泛函 能带结构 态密度 光学性质 掺杂 I Abstract