掺杂钛酸铋薄膜铁电与光学性质.pdfVIP

河南大学微电子学与固体电子学专业2004级硕士论文 摘要 在铁电随机存储器(FeI乙AM)中，信息存储在铁电薄膜的极化方向中，由 极化翻转电流读取信息。这就要求铁电薄膜具有以下特征：剩余极化强度值只 要大，以便从小面积电容上可以得到较大的极化翻转电流；矫顽电场要小， 以使FeRAM可以在低电压下操作；疲劳和印迹要小，疲劳指多次翻转后剩余极 化强度变小，而印迹指在两个方向上极化不对称。 至今为止，在上述FeRAM要求的条件下，已经有多种铁电材料被研究。其 低于650。C，但其存在严重的问题如含铅，疲劳和印迹；SBT最大的优点是疲 劳、印记和保持特性优于PZT，但晶化温度较高，只值较小；BLT是在钛酸铋 好，在FeRAM及电光器件方面有广泛的应用前景。为迸一步改善薄膜的物理性 能，可以对BTO薄膜进行掺杂改性。本论文主要做了以下几个方面的工作。 失配小，可以实现较好的晶体学兼容，而且以LNO薄膜用作下电极还可以改善 疲劳特性。本文在热分析的基础上，通过控制热分解温度，采用溶胶凝胶法制 各得到了两种择优取向的LNO薄膜。结果发现，较低的热分解温度下得到 LNO薄膜。同时，在固定热分解温度时，改变烘烤温度，发现烘烤温度对择优 取向影响不大。 强度、矫顽场、漏电流的影响。研究发现，c牟由择优取向的BLT薄膜具有较大的 剩余极化强度尸r、较小的漏电流，而择优取向对矫顽场的影响不大。 摘要 3．在BTO薄膜中掺入h，通过透射光谱的测试，研究了h掺入对光学性质 的影响。发现，h掺入可以增大可见和近红外区的透过率，减小了光学带隙 忍、线性折射率珂和消光系数t。按照单电子振荡模型，计算得到光学参数如单 电子振动能E口、色散能目、长波折射率‰、平均振动波长如、平均振子强度岛、 折射率色散参数岛儡和化学键参量芦等。 关键词钛酸铋；掺杂：铁电性质；光学性质 Ⅱ }可南大学微电子学与固体电子学专业2004级硕士论文 ’Abstract Inaferroelectricrandom-access isstoredthe memory@dLAM)，informationby in datumreadout the directionaferroelectricfillandthestored is polarization using reversal characteristicsaredesiredfora current．Thus，the polarization following thinfill．Theremanent be thata ferroelectfic should polarization large，SO large be reversalcurrentcanderivedfromasmall—area coercive polarization capacitor．The fieldshouldbelowfor oftheFcILAM．Theand fatigue low-voltageoperation