总复习存储器及其接口.pptVIP

左旭坤（zxk78@wxc.edu.cn） 李善林工业用微型计算机讲义第18讲 工业用微型计算机 第四章总复习 第4章 存储器及其接口 4.1 概述 4.2 随机存取存储器 4.3 只读存储器 4.4 存储芯片地址译码与存储容量扩展 4.5 存储器接口 1. 存储容量 是存储能力的一个重要指标， 以字数乘以字长表示，单位为位。 * 左旭坤（zxk78@wxc.edu.cn） 存储器(Memory)是微型计算机的重要组成部分，用来存放程序和数据，以实现“存储程序和程序控制”的原理 4.1.1 存储系统的层次化结构 在微型计算机系统中，存储系统采用层次化结构，层次化就是指将各种速度不同、容量不同、存储技术不同的存储设备分为若干层次，并通过硬件和软件组成一个既有足够大的存储空间又能满足CPU存取速度要求、且价格适中的整体。 层次化的存储系统类似于金字塔形状，塔顶位CPU，从上向下看，存储速度依次减慢，容量依次增大，成本依次降低。 4.1 存储器概述 4.1.2存储器的分类 1. 按在微机系统中的作用分类 1）高速缓冲存储器。 2）内存储器（主存储器）。 3）外存储器（辅助存储器） 2. 按存储器的存取方式分类 1）只读存储器（Read Only Memory，ROM）。 2）随机存取存储器(Random Access Memory，RAM） 在正常情况下可以随时向存储器写入数据或从中读取数据。 在正常情况下只能从中读取数据， 不能快速随时地修改数据或重新写入数据。 2010-12. 下列的存储介质中，只能读取不能写入的是 【 】 A． U盘 B． 硬盘 C． 软盘 D． CD-ROM D 3、按存储介质分类 1）半导体存储器。 2）磁表面存储器。 3）光盘存储器 (1)按制造工艺分类 半导体存储器可分为双极型和MOS型两类： （1）双极型。由TTL晶体管逻辑电路构成。该类存储器工作速度快，与CPU处在同一量级，但集成度低、功耗大、价格偏高，在微机系统中常用作高速缓存器。 （2）金属氧化物半导体型。简称MOS型。该类型器件有多种制造工艺，如NMOS（N沟道MOS）、HMOS（高密度MOS）、CMOS（互补型MOS）、CHMOS（高速CMOS）等。 4.1.3 半导体存储芯片的一般结构 1.存储矩阵 2.地址译码电路 3.读/写控制电路 A0 A1 Ax-1 D0 D1 Dy-1 WE 数据输出 CS OE … … … … 地址输入 或 数据输入/输出 片选 读 写 对于有x根地址线和y根数据线的存储芯片，可存储二进位的数量。 存储芯片的存储容量=2x×y 2. 地址译码电路 地址译码电路的功能是根据输入的地址信息寻址存储芯片内部某个特定的存储单元。 地址译码有两种方式：单译码和双译码。 3. 读/写控制电路 CS (Chip Select) ： 片选信号，一般是低电平有效， 有效时可对该芯片进行读或读写操作。 OE (Output Enable) ： 输出允许信号，一般是低电平有效， 有效时允许芯片将寻址存储单元内的各位数据输出。 WE (Write Enable) ： 写入允许信号，一般是低电平有效， 有效时呈现在数据线上的数据允许 写入被寻址的存储单元。对于ROM芯片无此信号。 4.1.4 半导体存储器芯片的性能指标 例如： 2114 SRAM 字数=1K，字长=4位 所以：存储容量=1K×4位=4K位 例如： 6264 SRAM 字数=8K，字长=8位 所以：存储容量=8K×8位=64K位 2012-19. 存储器2764的容量是8K?8，其地址线共有 【 】 A． 8条 B． 10条 C． 12条 D． 13条 2011-11. 一片4K?8的SRAM芯片的地址线数量是 【 】 A． 10条 B． 11条 C． 12条 D． 13条 2010-25