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相空间涂抹技术 空间电荷效应是限制RCS 累积流强的重要因素。注入过程中需要采用相空间涂抹技术，将直线加速器的发射度较小的束流，尽可能均匀地涂抹到较大的RCS 环的接受度中，可在很大程度上减小强流束的空间电荷效应。在SNS/RCS中，要累积约1.6×1013 个质子， RCS 注入系统拟在水平和垂直两个方向上均采用移动凸轨的涂抹方案，即通过快速移动凸轨的方式来实现，优点是不易受注入条件的影响且剥离膜的质子穿越次数较少。 束流相关主要参数 参数 单位 数值 周长 C m 238.8 平均半径 R m 38.0062 每脉冲质子数 N/cycle 1.56?1013 注入回旋周期 Trev ?s 2.175774541 引出回旋周期 Trev ?s 0.857243930 注入回旋频率 frev MHz 0.459606444 引出回旋频率 frev MHz 1.166529111 束团数目 （h=2） 2 引出电流 Ib ?A 62.5 注入循环平均流强 I A 1.1487 引出循环平均流强 I A 2.9156 归一化发射度 ?N ?mm?mrad 254.6 引出非归一化发射度?UN ?mm?mrad 101.3 注入平台时间间隔 ms 1 参数 单位 数值 谐波数 h 2 每圈能量增益 ?E/turn keV 81.262 加速总电压 kV 81.262 高频峰值电压 Vrf kV 160 高频频率 MHz 0.919 ? 2.333 高频腔数目 4 高频腔处真空盒内径 cm 16.42 每个高频腔峰值电压 kV 40 每个高频腔峰值功率 总束流功率损耗 kW 301.750 调频 调磁 参数 单位 数值 二极磁铁 磁铁数目 32 弯转半径 ? m 8.148733 弯转角度 ? Rad 度 0.1963495 11.25 注入磁场强度 B T 0.151103 引出磁场强度 B T 0.965426 累积环中的束流损失 AGS SNS 脉冲粒子数 6?1013ppp 1014 ppp 频率 0.5 Hz 60Hz 通量 3?1013 pps 6?1015pps 束损 1％ 3?1011 pps 6?1013pps 要求束损 2x10-4 , 比AGS低10－2 ! 经过上千圈的累积后，环中的脉冲流强成为直线加速器中的脉冲流强的上千倍，即由几十毫安变为几十安培。强烈的空间电荷效应带来的tune shift可能使束流的 betatron tune 进入不稳定区，从而引起束流损失。要提高环中可容纳的粒子数或脉冲流强，有三条途径： 1）提高注入束流能量：需要采用较高能量的直线加速器，由于直线加速器较贵，因此投资会提高； 2）增大束流发射度：即采用横向与纵向相空间同时“涂抹”注入方法，使环中束流六维发射度增大。相应地，环要有大的接受度（比如，为200－400?mm－mrad），即真空室截面要大，并需要更多的高频腔、及其相应的更长的直线节。结果，环的造价提高； 3）增大聚束因子：可增加二次谐波腔，使聚束 RF bucket 变平，同时还要精心设计“涂抹”程序，以改善束团的纵向均匀性。 占空比=重复频率X宏脉冲宽度磁刚度、周长、窄脉冲 2MW US-SNS LINAC 1GeV 52mA 峰值 6% 占空比 68%切割率 60Hz 累积储存环: 1060圈/1.0ms 1MW JPAC 400MeV 50mA 峰值 2.5% 占空比 56%切割率 50Hz 以500μs的脉冲注入到 3GeV 的25Hz的RCS里 500圈 5MW ESS LINAC 1.3GeV 107mA 峰值 6% 占空比 60%切割率 2x50Hz 累积储存环: 1000注入圈/ 600μs 总体方案 H- 80kev 3 MeV 150MeV DTL 352MHz 352MHz 704MHz RFQ 30mA AR MEBT SDTL 物理终端 中子靶 P 50mA LEBT 200M 20M 15M 20M 环基本参数 注入能量