半导体物理北交经典课件考研必备第六章pn结.pptVIP

第六章 半导体界面及接触现象－pn结 半 — 半接触 一、p-n结的形成和杂质分布 对于p＋n结： 对于pn＋结： 例如，室温：KT=0.026eV 当V=0.26V ： V J Js pn结的 J－V 曲线 4．反偏时的p-n结(P－,N＋) qVD q(VD － V) 反向偏压时pn结势垒的变化 P N Ε内 － ＋ V0 势垒区? 漂移扩散 ?势垒区变宽 ?漂移流大于扩散流 ?由漂移作用形成的反向电流很小 （p区电子和n区空穴少） 通过pn结的总反向 J： J=Jp扩（n区边界少子）+ Jn扩（ p区边界少子） |V|? J?-Js Js为反向饱和电流 V0 反向偏压电流饱和 “－”表示 J 与正向时相反 反向电流密度饱和，与外加电压无关 V J Js pn结的 J－V 曲线 pn结具有单向导电或整流效应 5. 温度对pn结电流密度的影响 对反向电流： T ?, Js 迅速增大 且 Eg 越大的半导体， Js 变化越块 对正向电流： 为常数 Vg0 为 0k 时导带底和价带顶的电势差 T ?, 正向 J ? 6. 理想pn结模型 小注入条件 －注入的少子浓度比平衡多子浓度小得多 突变耗尽层条件 －注入的少子在p区和n区是纯扩散运动 ?通过耗尽层的电子和空穴电流为常量 －不考虑耗尽层中载流子的产生和复合作用 ?玻耳兹曼边界条件 －在耗尽层两端，载流子分布满足玻氏分布 7. pn结电流电压特性偏离理想方程的因素 表面效应 势垒区中的产生及复合 大注入条件 串联电阻效应 势垒区的产生电流 热平衡时 载流子的产生率＝复合率 反向偏压 载流子的产生率 复合率 总反向电流密度 J反 ＝ J扩＋ J产 以 p+n 结例： Ge: Eg 小，ni2大，反向电流中扩散电流主要 Si: Eg 大， ni2小，反向电流中势垒产生电流主要 V ?, XD?, ? JG ? 不饱和，J反 缓慢增加 势垒区的产生电流 XD 势垒区宽度 反向扩散电流密度 势垒区的复合电流 正向偏压，从n区注入p区的电子和从p区注入 n区的空穴，在势垒区内复合了一部分，构成 了另一股正向电流。 总正向电流密度 J正 ＝ J扩＋ Jr 复合电流密度 Jr P N Ε内 + － ?正向电流密度的经验公式 扩散电流与复合电流之比与 V 有关 V ?，J扩/Jr 迅速 ?，?低 V时, Jr J扩 V ?，J扩/Jr 迅速 ?，?高 V时, Jr J扩 J/Js 实际pn结的电流电压特性 大注入情况 正向偏压较大时，注入的非平衡少子浓度接近 或超过该区多子浓度的情况 例如：p+n结在大注入情况下的电流电压关系 四、pn结电容 低频，pn结有整流作用；高频，无整流作用 pn结电容破坏整流特性 pn结电容包括：势垒电容和扩散电容 1. 势垒电容 平衡pn结势垒区 正偏时势垒区变窄 正偏 V ?, 空间电荷?，部分电子和空穴存入势垒区 正偏 V ?, 空间电荷?，部分电子和空穴从势垒区中取出 反偏 V ?, 空间电荷?，部分电子和空穴从势垒区中取出 反偏 V ?, 空间电荷?，部分电子和空穴存入势垒区 势垒区的空间电荷数量随外加V而变化， 和一个电容器的充放电作用相似，这种pn结 的电容效应称为势垒电容。 势垒电容是可变电容，可引入微分电容的 概念来描述 C 随 V 变 * * * * * p 型半导体和 n 型半导体结合在一起，在交界面处其杂质分布不均匀，形成 pn 结。 pn结利用控制杂质分布的工艺方法来实现 1．合金法 用合金法制备的p-n结一般为突变结； x N NA ND 突变结的杂质分布 xj P+n结 p n 用扩散法制备的p-n结一般为缓变结，杂质浓度逐渐变化。 2．扩散法 0 x N(x) NA(x) ND xj 扩散结 杂质分布由扩散过 程和杂质补偿决定 p n 线性缓变结：在扩散结中，杂质分布可用 x=xj 处的切线近似表示。 x xj ND-NA 线性缓变结近似 扩散结的杂质分布 但对高表面浓度的浅扩散结，用突变结近似 0 x NA ND N(x) 突变结近似 扩散结的杂质分布 xj { 突变结 缓变结 pn结 { 合金结 高表面浓度的浅扩散结 （p+n或n+p) 根据杂质分布 低表面浓度的深扩散结 二、平衡p-n结的特点 1．平衡p-n结的形成 P型材料的多子用ppo表示，少子为npo， N型材料的多子用nno表示，少子用pno表示 P N ° ? _ _ _ _