《第4章内存储器接口的基本技术》.pptVIP

第四章 内存储器接口的基本技术 半导体存储器 半导体存储器从使用功能上来分，可分为：读写存储器RAM（Random Access Memory）又称为随机存取存储器；只读存储器ROM（Read Only Memory）两类。 一、 RAM 特点：1）存储单元信息能读能写； 2）任意单元读写时间基本一致； 3）断电后信息立即消失 2．MOS RAM 可分为静态（Static）RAM（有时用SRAM表示）和动态（Dynamic）RAM（有时用DRAM表示）两种。 （1）SRAM的特点 6管构成的触发器作为基本存储电路。 集成度高于双极型，但低于动态RAM。 不需要刷新，故可省去刷新电路。 功耗比双极型的低，但比动态RAM高。 易于用电池作为后备电源（RAM的一个重大问题是当电源去掉后，RAM中的信息就会丢失。为了解决这个问题，就要求当交流电源掉电时，能自动地转换到一个用电池供电的低压后备电源，以保持RAM中的信息）。 存取速度较动态RAM快。 （2）DRAM的特点 基本存储电路用单管线路组成（利用分布的电容来保存信息）。 集成度高。 比静态RAM的功耗更低。 价格比静态便宜。 因动态存储器靠电容来存储信息，由于总是存在着泄漏电流，故需要定时刷新。典型的是要求每隔1ms刷新一遍。 二、ROM 特点：1)存储单元的信息只能读，不能写；