电工电子技术 作者 明立军 刘雅琴 第七章.pptVIP

第7章 半导体二极管 【学习目标】 1）掌握PN结的单向导电性。 2）熟悉晶体二极管的基本结构、工作原理、特性曲线及主要参数。 【能力目标】 1）具有利用万用表对晶体二极管的质量及极性进行简单判断的能力。 2）对于包含晶体二极管的电路具有独立分析和计算的能力。 7.1 半导体的基本知识 1.半导体的导电特性 热敏特性 热敏特性是指半导体的电阻率随温度升高而显著减小的特性。 光敏特性 有的半导体材料在无光照时电阻率很高，而一旦受到光线照射后电阻率显著下降。这种特性称光敏特性。 掺杂特性 在纯净的半导体材料中掺入某种微量的元素（如硼和磷等）后，其导电能力将猛增几万倍甚至百万倍。这是半导体最显著、最突出的特性。 2. 本征半导体 本征半导体，就是纯净的、 不含“杂质”的、而且具有完整 晶体结构的半导体。 1）本征半导体的结构模型 2） 本征激发 由于半导体材料中的价电子受共价键的束缚力较小，在一定的温度下或在一定强度光的照射下，少数价电子可以获得足够的能量而挣脱共价键的束缚，成为自由电子，这种物理现象称为本征激发，如图所示。 3.杂质半导体 在本征半导体中有控制有选择地掺入微量的有用杂质，就能制成具有特定导电性能的杂质半导体。 2）P型半导体 半导体以空穴导电为主，称为空穴型半导体，简称 P 型半导体。在 P 型半导体中，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。 4.PN结的形成和特性 1）PN结的形成 在一块完整的本征硅（或锗）片上，两边分别形成P型和N型半导体。P区空穴多、电子少，N区电子多、空穴少，于是在交界面处发生多数载流子的扩散运动使交界面附近的 P区出现一层不能移动的带负电荷的离子区，N区出现一层不能移动的带正电荷的离子区。于是，在交界面附近形成一个空间电荷区，这个空间电荷区就是PN结。如图所示。 2）PN结的单向导电性 如图所示，说明PN结具有单向导电的特性。 当给PN结加正向电压（正向偏置），即外电源的正极接P区，负极接N区，如图所示，这时在PN结中有大量的载流子运动，所以PN结呈低电阻状态。 如果给PN结加反向电压，即外电源的正极接N区，负极接P区如图所示。由于少数载流子数量很少，仅能形成很小的反向电流，PN结呈高电阻状态 7.2 半导体二极管 1.半导体二极管的结构 二极管是由PN结加上相应的电极引线和管壳做成的。P区引出的电极称为正极（阳极），N区引出的电极称为负极（阴极）。 【二极管的符号】 2.半导体二极管的伏安特性 二极管的伏安特性是指其两端的电压与流过它的电流之间的关系曲线，如图所示。 1）正向特性 当外加正向电压很小时，正向电流很小，几乎为零。当正向电压超过一定数值后，电流增长很快。这个电压称为死区电压，一般硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为 0.2V。二极管正向导通后，电流上升很快，但管压降变化很小，硅管的正向压降约为 0.6-0.8V。 3.二极管的主要参数 最大整流电流 IFM 最大整流电流是指二极管长期工作，允许通过的最大正向平均电流。 最高反向电压 URM 最高反向电压是保证二极管不被击穿而给出的最高反向工作电压。 最大反向电流 IRM 最大反向电流是指给二极管加最大反向电压时的反向电流值。 7.3 稳压二极管稳压电路 1.稳压二极管 1） 稳压二极管简介 稳压二极管是一种特殊的二极管，当稳压二极管工作在击穿状态时微小的端电压变化就会引起通过其中电流的急剧变化，利用这种特性在电路中与适当的电阻配合就能起到稳定电压的作用，故称其为稳压二极管。 2） 稳压二极管的伏安特性 稳压二极管的伏安特性与普通二极管基本相似。如图所示。 3）稳压二极管的主要参数 （e）最大允许耗散功率PZM 管子不致发生热击穿而损坏的最大功率损耗，它等于最大稳定电流与相应稳定电压的乘积。 （1）当负载电阻不变，输入电压 Ui增大时，将引起输出电压 U0（UZ）的增加，稳压二极管的电流 IZ也会显著增加，结果使电流 IR增大，R上的压降增加，负载电压 U0的数值有所减小。同理，如果 Ui减小时