电工电子技术基本教程 作者 付扬_ 第4章-半导体器件及基本放大电路.pptVIP

UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 例1. IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 截止区 (2) 截止区 截止区特点： IB=0的曲线的下方的区域。 通常该区： 发射结反偏，集电结反偏 IB=0， IC=ICEO ， NPN： UBE?0.5V,管子就处于截止态。 UBE?0V，可靠截止。 E C B IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 饱和区 (3) 饱和区 饱和区特点: (1) 发射结正偏，集电结正偏。 IC受UCE显著控制的区域，该 区域内UCE的数值较小，一般: UCE＜0.7V (硅管)。 （2）把 UCE=UBE 称为临界饱和 或放大 估算小功率管时，深度饱和时， Si：UCES=0.3V； Ge；UCES=0.1V E C B 放大 NPN 锗管 放大 PNP 硅管 截止 NPN 例2. 说明各管子的工作状态： 如果是放大状态，根据各极判断ebc，判断材料、结构， 判断步骤如下： 电位值中间的是基极b; 与b相差0.2V或0.7V的是发射极e; 剩下的即为集电极c; c电位最高为NPN管子, c电位最低为PNP管子; b、e相差0.7V为Si管， b、e相差0.2V为Ge管。 注意方法: ? 1. 电流放大系数 电流放大系数 ? 随着温度的变化会变化。温度增高 ? 变大。 4.4.4 主要参数 三极管电流分配规律： 发射区每向基区供给一个复合用的载流子，就要向集电区供给 ? 个载流子。 共发射极直流电流大系数: 共发射极交流电流放大系数 2. 穿透电流ICEO 当基极开路IB＝0、集电极和发射极流过的电流。 ICEO受温度影响，变化较大。 其值越小工作温度稳定性越好。 ?A ICEO 3. 集电极最大允许电流ICM 是指β下降到其额定值的2/3 时所允许的最大集电极电流。 4. 反向击穿电压UBR 若加在晶体管两个PN 结上的反向电压超过规定值，将会导致管子的击穿并烧坏。 5. 集电极最大允许功率损耗PCM 集电极上消耗的功率 PC = ICUCE 大部分消耗在反向偏置的集电结上，表现为温度的升高，允许的最大功率不超过PCM 。 4.5 共射极放大电路 放大的概念 电子技术中放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。本节所讲的主要是电压放大电路。 ui uo Au 4.5.1 共射极放大电路的组成与工作原理 1. 共射极放大电路的组成 信号源 负载 放大作用iC=? iB，工作在放大区 集电极电源，为电路提供能量，并保证集电结反偏。 集电极电阻，将变化的电流转变为变化的电压。 基极电源与基极电阻使发射结正偏，并提供适当的静态工作点。 耦合电容隔离输入输出与电路直流的联系，同时能使信号顺利输入输出。 可以省去 参考点 电路改进：采用单电源供电 2. 放大电路的工作原理 UA 大写字母、大写下标，表示直流量。 uA 小写字母、大写下标，表示全量。 ua 小写字母、小写下标，表示交流分量。 uA ua 全量 交流分量 t UA直流分量 符号规定: Ua 大写字母、小写下标，表示交流有效值。 动态信号作用时： 组成放大电路时注意： 保证晶体管工作在放大区。 发射结正偏，集电极结反偏 输入信号必须能够作用于放大管的输入回路。 对于晶体管能产生△uBE。　　 3. 当负载接入时，必须保证放大管的输出回路的动态电流能够作用于负载，从而使负载获得比输入信号大得多的信号电流或信号电压。 ro ri 4.5.2 放大电路的主要性能指标 信号源 信号源内阻 输入电压 输出电压 输入电流 输出电流 任何放大电路均可看成为二端口网络。 1. 电压放大倍数 ro ri 2. 输入电阻 从输入端看进去的等效电阻 输入电阻是衡量放大电路从其前级取电流大小的参数。输入电阻越大，从其前级取得的电流越小，信号电压损失越小。 输入电压与输入电流有效值之比。 3. 输出电阻 ro 越小，带负载的能力越强。 将输出等效成有内