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第3章 半导体存储器 本章概述存储器的层次结构、半导体存储器的分类,以及高速 缓冲存储器Cache和虚拟存储器; 讲解静态随机存取存储器SRAM结构及常用SRAM存储器芯片; 叙述动态随机存取存储器DRAM及常用DRAM存储器芯片; 讨论只读存储器组成、原理与分类,介绍常用EPROM存储芯片和 快闪存储器FLASH; 简述新型的非挥发随机存取存储器; 最后对PC机存储器的组织与管理作了概括。 第三章 半导体存储器 3.1 存储器概述 3.2 静态随机存取存储器SRAM 3.3 动态随机存取存储器DRAM 3.4 只读存储器 3.5 非挥发随机存取存储器 3.6 存储器组织与管理 3.1 存储器概述 3.1.1 存储系统的分层结构 3.1.2 半导体存储器分类 3.1.3 高速缓冲存储器Cache 3.1.4 虚拟存储器 3.1.1 存储系统的分层结构 主存-辅存层次 :具有主存的较快存取速度又具有辅存的大容量 和低价格 解决存储器的容量问题。 高速缓存-主存层次 :速度接近于Cache,而容量则是主存的容量 解决存储器的存取速度问题 微型计算机中存储子系统的分层结构如图所示 3.1.2 半导体存储器分类 存储器分类:按存储介质分—— 磁表面存储器(硬磁盘、软磁盘、磁带等)、 光盘存储器和半导体存储器。 半导体存储器分类:按制造工艺分——MOS型和双极型两大类。 半导体存储器一般都是MOS型存储器。 MOS型半导体存储器分类:从应用角度分—— 只读存储器ROM和随机存取存储器RAM ROM和RAM进一步细分如下表所示 表中类型还可进一步细分: 如兼有SRAM和DRAM共同优点的组合型半导体存储器iRAM, DRAM中专为图形操作设计的WRAM和SGRAM, ROM中又有串行和并行之分,等等。 3.1.2 半导体存储器分类(续) ROM存储器的发展过程就是不断方便用户使用的过程:掩模ROM→PROM→EPROM→E2PROM→FLASH。 静态随机访问存储器SRAM主要发展方向:提高访问速度与功能多样化。●提高速度——早期约300ns→现在只有几个甚至不到一个ns;●功能多样化——支持突发操作的同步SRAM即SB SRAM作为二级高速缓存 L2 Cache使用,实现了与快速处理器的匹配。 支持缓冲操作的先进先出存储器FIFO 支持数据共享的多端口SRAM(即Multi-SRAM) 掉电时信息不丢失的非挥发随机存取存储器NV SRAM 高集成度类静态随机存取存储器PSRAM(Pseudo SRAM) 动态随机存取存储器DRAM发展方向:增大存储容量、提高访问速度。●存储容量——早期几十Kb(bit:二进位)→现在512Mb至几Gb●访问速度——从几百ns→SDRAM的10ns→DDR、RDRAM最快1ns左右 ECC RAM对每个一定长度的二进制数都产生并存储一组附加的数据位,称为校验和,即ECC码。 3.1.3 高速缓冲存储器Cache 1. Cache工作原理 现在微机中均设置有一级高速缓存(L1 Cache)和二级高速缓存(L2Cache)Cache内容只是主存中部分存储数据块的副本,它们以块为单位一一对应 Cache使CPU访问内存的速度大大加快。 二级缓存存储系统的基本结构如图所示。 3.1.3 高速缓冲存储器Cache (续) 1. Cache工作原理(续) 判断:访问存储器时,CPU输出访问主存的地址,经地址总线送到Cache 的主存地址寄存器MA,主存-Cache地址转换机构从MA获得地址 并判断该单元的内容是否已经在 Cache中存储? 命中:如在则称为“命中”,立即把访问地址转换成其在Cache中的地址, 随即访问Cache存储器。
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