电路与电子技术应用基础 作者 谭维瑜 14.6.pptVIP

* 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： * * * 第14章 存储器 本 章 小 结 3.只读存储器ROM 信息一旦写入, 就只能读出不能再写入, 所存信息在断电后仍能保存。其结构由存储矩阵(或门阵列), 地址译码器(与门阵列)和读出电路组成。所存放的“1”和“0”信息是由字线及位线交义处跨接的基本耦合单元(二极管或三极管或MOS管)的通断状态来实现的。 (一)可编程只读ROM(PROM) PROM的或阵列是可以编程的。由于采用晶体管和熔丝组成的存储单元, 在写入“0”时, 要通过足够大的电流将熔丝熔解, 所以PROM只能写入一次。 (二)可编程可擦除ROM(EPROM) EPROM采用浮置栅雪崩注入MOS管(也称FAMOS管), 或叠栅注入MOS管(又称SIMOS管)。若浮置栅上没有积累电子时, 控制栅加电压后, MOS管导通, 表示存储信息1；若浮置栅上有积累电子时, 控制栅加电压后, MOS管不导通, 表示存储信息0。 若要实现二次编程, 通过紫外线或X射线照射, 释放浮置栅极的电子, 便可写入新内容。这样EPROM可以进行有限次数的重复编程。 (三)电可编程可擦除ROM(EEPROM) EEPROM可擦写100至1万次, 编程一次(先擦后写)只需20ns。 4.存储器的扩展: 有字扩展方式,位扩展方式, 字位扩展方式。 14.7－2 * * 第14章 存储器 本 章 小 结 1.半导体存储器分类：随机存取存储器RAM和只读存储器ROM。 (一)随机存取存储器RAM,又分为：双极型RAM和单极MOS型RAM(MOS型有静态RAM即SRAM和动态RAM即DRAM)。 (二)只读存储器ROM,又分为：掩膜ROM和可编程ROM(有可编程PROM,可编程可擦除EPROM和电可编程可擦除E2OROM)。 2.随机存取存储器RAM RAM既可向指定单元写入信息, 又读出信息。RAM是“易失性”即断电后所存信息丢失的存储器件。其结构由存储矩阵, 地址译码器和读/写控制器组成。对于有n位地址和m位字长的存储器来说, 它共有2nXm个基本存储电路,即存储容量为2nXm位二进制数位。 (一)静态RAM, 在电源供应下, 所存信息能稳定保持, 不需要进行定时“刷新”。SRAM电路有双极型和MOS型两种。 (二)动态RAM的基本存储电路, 是利用MOS管栅-源间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。为避免信息丢失, 必须定时给电容补充漏掉的电荷,即“刷新”。DRAM存储电路有单管, 三管和四管电路。 14.7－1 14.6 可编程ROM 14.6.3电可编程可擦除只读存储器E2PROM E2PROM可擦写100至1万次, 编程一次(先擦后写)只需20ns 14.6.3 14.6 可编程ROM 14.6.2 可擦除可编程只读存储器EPROM 浮栅EPROM出厂时, 所有存储单元的FAMOS管的浮栅不带电荷, FAMOS管处于截止状态, 存储MOS管不接地, 位线呈1状态。若在漏极与衬底之间加上足够高的反向电压(-30~ - 45V), 使漏极与衬底之间的PN结产生雪崩击穿, 产生的高能电子堆积在浮栅上,使FAMOS 导通, 存储MOS管接地, 位线呈0态。由于浮栅的电子无放电回路, 故能长期保存。如用紫外线照射FAMOS管10~30min, 浮栅上积累的电子形成光电流而泄放, FAMOS又恢复为截止状态, 位线又为1态, 又可重新写入。 已写入内容的EPROM, 必须用不透明的胶纸将芯片上的石英玻璃窗口封住, 以免丢失存储的信息。EPROM反复擦除和写入的次数是有限的。 14.6.2 -3 14.6 可编程ROM 14.6.2 可擦除可编程只读存储器EPROM 由图(a)可见, FAMOS是一个P沟道增强型MOS管,但它的栅极 完全被SiO2绝缘层包围,无外引线呈悬浮状态, 故称浮栅。 14.6.2 -2 14.6 可编程ROM 14.6.2 可擦除可编程只读存储器EPROM 由于PROM的内容只能写