数字电子技术 作者 范立南 田丹 第9章 半导体存储器.pptVIP

2．最大模式下的读/写总线周期 T1 T2 T3 T4 S2～S0 CLK AD15～AD0 BHE/S7 A19/S6～A16/S3 S2～S0 *ALE *MRDC或*IORC *DT/R *DEN 一个总线周期 无源状态 A19～A16BHE S7～S3 浮空 A15～A0 D15～D0 地址 输入数据 9.2 随机存取存储器 9.2.1 静态随机存取存储器 1．SRAM的基本存储电路 2．SRAM的读写过程 3．典型SRAM芯片 常用的SRAM芯片有2114(1K×4)、2142(1K×4)、6116(2K×8)、6232(4K×8)、6264(8K×8)、和62256(32K×8)等。 9.2.2 动态随机存取存储器(DRAM) 1．基本存储电路 9.3 存储器容量的扩展 采用多片ROM/RAM经扩展后组成容量更大的ROM/RAM存储以满足系统的需要。芯片数量的选择由系统要求的容量(M ×N)和单片容量(m ×n)来决定，其计算方法如下。 已知系统要求的内存容量为M× N(字长或位数)，现有单片ROM/RAM的容量为m(字数) n(字长或位数)。所需单片ROM/RAM的数量计算原则如下。 计算原则：M ≥m，N ≥n 根据字数计算所需单片数：M/m (取整数) 根据字长或位数计算所需单片数：N/n (取整数) 总片数 9.3.1 位扩展方式 若单片ROM/RAM的字数满足系统内存总的字数要求，而每个字的字长或位数不够用时，则采用位扩展方式。位扩展后的存储器字数没改变而位数增加，存储器容量相应增加。 9.3.2 字扩展方式 若每一片ROM/RAM的数据位数够，而字数不能满足系统内存总的字数要求，则采用字扩展方式。字扩展后的存储器数据位数或字长没有变，而字数增加，存储器容量相应增加。 9.3.3 字、位同时扩展 当单片ROM/RAM的字数和位数都不够时，就要采用字位扩展方式。 【例9-4】用1K 4位RAM扩展成一个4K 8位的存储器。 解：① 确定芯片数： ② 确定地址线数D： 2D =4096 D=12 ③ 用8片1K 4位RAM芯片，位扩展不需要增加地址线数，而字扩展则需要增加地址线数。RAM原有10条地址线，现增加两条地址线A11、A10，利用2线4-线译码器将A11、A10的四组不同代码输入译成4路低电平信号 ，分别接到RAM的 端。 与字扩展相同，并接的2片RAM的8条数据线可分别做为字位扩展的存储器的8条数据输入/输出线。 9.4 实例电路分析：存储系统的设计 某8位微机有地址总线16根，双向数据总线8根，控制总线中与主存相关的有“允许访存”信号 (低电平有效)和读/写控制信号 (高电平读、低电平写)。试用SRAM芯片2114为该机设计一个8KB的存储器并画出连接框图。 半导体存储器由许多存储单元组成，每个存储单元可存储一位二进制数 。根据存取功能的不同，半导体存储器分为只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM)，两者的存储单元结构不同。ROM 属于大规模组合逻辑电路，RAM 属于大规模时序逻辑电路。 本 章 小 结 ROM 用于存放固定不变的数据，存储内容不能随意改写。工作时，只能根据地址码读出数据。断电后其数据不会丢失。ROM有固定 ROM(又称掩膜 ROM) 和可编程 ROM之分。固定 ROM 由制造商在制造芯片时，用掩膜技术向芯片写入数据，而可编程 ROM 则由用户向芯片写入数据。可编程 ROM 又分为一次可编程的 PROM 和可重复改写、重复编程的 EPROM 和 E2PROM。EPROM 为电写入紫外擦除型，E2PROM 为电写入电擦除型，后者比前者快捷方便。可编程 ROM 都要用专用的编程器对芯片进行编程。 RAM 由存储矩阵、译码器和读/写控制电路组成。它可以读出数据或改写存储的数据，其读、写数据的速度很快。因此，RAM 多用于需要经常更换数据的场合，最典型的应用就是计算机中的内存。但是， RAM 断电后数据将丢失。 RAM 可位扩展或字扩展，也可位、字同时扩展。通过扩展，可由多片小容量的 RAM 构成大容量的存储器。 RAM 有静态 RAM和动态 RAM 之分。静态 RAM(即SRAM)的存储单元为触发器，工作时不需刷新，但存储容量较小。动态 RAM(即 DRAM)的存储单元是利用 MOS 管具有极高的输入电阻( 1010 ?)、在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信息的，由于栅极电容存在漏电，因此工作时需要周期性的对存储数据进行刷新。 EXIT 第 9