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7.3 SMT产品组装中的静电防护技术 根据机械工业出版社同名教材 《 SMT—表面组装技术(第2版)》 何丽梅 主编 7.3.1 静电及其危害 当两个物体互相摩擦时,一种物体中一部分电子会转移到另一个物体上,于是这个物体失去了电子,并带上“正电荷”,另一个物体得到电子并带上“负电荷”。电荷不能创造,也不能消失,它只能从一个物体转移到另一个物体。 防静电的基本概念是防止产生静电荷或已经存在静电荷的地方如何迅速而可靠地消除。为了弄清哪些地方可能会产生静电,首先应知道静电产生的原因。 1.静电的产生 (1)接触摩擦起电 除了不同物质之间的接触摩擦会产生静电外,在相同物质之间也会发生,有时干燥的环境中当人快速在桌面上拿起一本书,书的表面也会产生静电。几乎常见的非金属和金属之间的接触分离均产生静电,这也是最常见的产生静电的原因之一。静电能量除了取决于物质本身外,还与材料表面的清洁程度、环境条件、接触压力、光洁程度、表面大小、摩擦分离速度等有关。 (2)剥离起电 当相互密切结合的物体剥离时,会引起电荷的分离,出现分离物体双方带电的现象,称为剥离起电。剥离带电根据不同的接触面积、接触面积的黏着力和剥离速度而产生不同的静电量。 (3)断裂带电 材料因机械破裂使带电粒子分开,断裂两半后的材料各带上等量的异性电荷。 (4)高速运动中的物体带电 物体的高速运动,其物体表面会因与空气的摩擦而带电。最典型的案例是高速贴片机贴片过程中因元器件的快速运动而产生静电,其静电压约在600V左右,特别是贴片机的工作环境通常湿度相对较低,器件因高速运动而产生的静电;对于CMOS器件来说,有时是一个不小的威胁。与运动有关的还有如清洗过程中,有些溶剂在高压喷淋过程中也会产生静电。 2.静电放电(ESD)对电子工业的危害 电子产品在生产、包装运输及装联成整机的加工、调试、检测过程中,难免受到外界或自身的接触摩擦而形成很高的表面电位。根据静电的力学和放电效应,其静电损坏大体上分为两类,这就是由静电引起的浮尘埃的吸附以及由静电放电引起的敏感元器件的击穿。 (1)静电吸附 在半导体和半导体器件制造过程广泛采用SiO2及高分子物质的材料,由于它们的高绝缘性,在生产过程中易积聚很高的静电,并易吸附空气中的带电微粒导致半导体介面击穿、失效。为了防止危害,半导体和半导体器件的制造必须在洁净室内进行。同时洁净室的墙壁、天花板、地板和操作人员及一切工具、器具均应采取防静电措施。 (2)静电击穿和软击穿 超大规模集成电路集成度高、输入阻抗高,这类器件受静电的损害越来越明显。特别是金属氧化物半导体(MOS)器件,受静电击穿的几率更高。静电放电对静电敏感器件的损害主要表现: ① 硬击穿。一次性造成整个器件的失效和损坏; ② 软击穿。造成器件的局部损伤,降低了器件的技术性能,而留下不易被人们发现的隐患以致设备不能正常工作。软击穿带来的危害有时比硬击穿更危险。 7.3.2 静电防护 1.静电防护原理 对SSD进行静电防护的基本原则有两个:一是对可能产生静电的地方要防止静电的积聚,即采取一定的措施,减少高压静电放电带来的危害,使之边产生边“泄放” ;二是迅速、安全、有效地消除已经产生的静电荷,即对已存在的静电荷积聚采取措施,使之迅速地消散掉,即时“泄放”。 2.静电防护方法 (1)静电防护中所使用的材料。对于静电防护,原则上不使用金属导体,因导体漏放电流大,会造成器件的损坏,而是采用表面电阻l×l05Ω以下的所谓静电导体,以及表面电阻为1×105~l×l08Ω的静电亚导体。例如在橡胶中混入导电碳黑后,其表面电阻可控制在1×106Ω以下,即为常用的静电防护材料。 (2)泄漏与接地。对可能产生或已经产生静电的部位,应提供通道,使静电即时泄放,即通常所说的接地。通常防静电工程中,均需独立建立“地线”工程,并保证“地线”与大地之间的电阻小于10Ω。 静电防护材料接地的方法是:将静电防护材料如防静电桌面台垫、地垫,通过1MΩ的电阻连接到通向地线的导体上。 通过串接1MΩ电阻的接法是确保对地泄放电流小于5mA,通常又称软接地,而对设备外壳,静电屏蔽罩通常是直接接地,则称为硬接地。 3.导体带静电的消除 导体上的静电可以用接地的方法使其泄漏到大地,一般要求在1s内将静电泄漏至电压降至100V以下的安全区,这样可以防止因泄漏时间过短,泄漏电流过大对SSD造成损坏。所以在静电防护系统中通常有1MΩ的限流电阻,将泄放电流控制在5mA以下。这也是为操作者的安全而设计的。如果操作
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