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- 2015-12-15 发布于广东
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第11章 FPGA/CPLD器件的硬件连接 11.1 编程工艺及方式介绍 目前常见的CPLD/FPGA器件有3种编程工艺,分别是基于电可擦除的EEPROM、FLASH等非易失存储器技术以及基于SRAM的查找表单元和基于反熔丝技术的编程工艺。 (1) 基于电可擦除的EEPROM、FLASH等非易失存储器技术的编程工艺常用于CPLD器件,通过编程下载后,改变电可擦除存储器的内容。采用这种编程工艺的器件掉电后能保持配置信息,下次使用不需要重新配置,但是编程的速度比较慢,编程次数有限。 (2) 基于SRAM的查找表单元的编程工艺常用于FPGA器件,这类器件的配置信息保存在器件的SRAM中。由于SRAM内的信息在掉电后立即消失,下次上电后,还需要用户重新配置,通常用专门的内含非易失存储器的配置芯片或者单片机系统在每次上电后自动对器件进行配置。因为基于这种技术的FPGA器件的配置信息无法进行加密,所以保密性稍差。 (3) 基于反熔丝技术的编程工艺主要是针对Actel公司的FPGA器件,器件编程后,功能就确定了,无法再进行更改。 主动方式由FPGA器件引导操作过程,它控制外部存储器的数据传输以及初始化过程,这种方式需要一个串行存储器件,用来存储配置信息。基于SRAM编程方式的FPGA器件多采用主动方式配置,每次重新上电后,FPGA器件可以控制
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