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光电信号处理 光电成像系统的构成 光电成像——拓展人的视野 6.1 光电成像原理 光电成像原理 1.摄像机的基本原理 2. 图像的分割 4. 电视制式 6.2 电荷耦合器件 1.电荷存储 2. 电荷耦合—传输 CCD的电极结构 三相单层铝电极结构 三相电阻海结构 3. 光信号的输入 4.电荷的检测 6.2.2 电荷耦合摄像器件 摄像器件的基本功能：光电转换、光积分、扫描 1、线型CCD摄像器件的两种基本形式 2 面阵CCD 3. CCD的特性参数 （2） 驱动频率 ①　驱动频率的下限 电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间t ，少数载流子的平均寿命为τi 则 ②　驱动频率的上限 电荷从一个电极转移到另一个电极的固有时间为τg 则 （3） 光电转换特性 存储于CCD的像敏单元中信号电荷包是由入射光子被硅衬底材料吸收，并被转换成少数载流子（反型层电荷）形成的，因此，它具有良好的光电转换特性。它的光电转换因子γ可达到99.7%以上。 （5） 动态范围 （6） 暗电流 （7） 分辨率 CCD靶面大小 6.2.3 摄像物镜 摄像物镜的特性参数： 摄像物镜 后截距S： 景深：不同距离上的物点，在成像面上形成不同大小的弥散圆斑，当弥散圆直径足够小时，弥散圆仍可视为一个点像，其直径的允许值取决于摄像器件的分辨力。由弥散圆直径允许值所决定的物空间深度范围成为景深。 焦深：同理，当物距固定时，在焦平面前后能得到清晰图像的范围称为焦深。 6.2.4 典型线阵CCD器件 目前最具有典型性的双沟道器件为TCD1206SUP， 广泛应用于物体外形尺寸的非接触自动测量领域， 是一种较为理想的一维光电探测器件。 几何尺寸： 二、 TCDl206SUP的驱动电路 三、 TCDl206SUP的驱动电路 四、 TCDl206SUP的特点 五、 TCD1206SUP的特性参数 6.3 CMOS图像传感器 一、 CMOS图像传感器的发展历史 二、 CMOS图像传感器的原理 三、 典型CMOS图像传感器 四、CMOS图像传感器的性能参数 五、CMOS与CCD图像传感器性能比较 一、 CMOS图像传感器的发展历史 上世纪60年代末期，美国贝尔实验室提出固态成像器件概念： 互补金属氧化物半导体图像传感器 CMOS —Complementary Metal Oxide Semiconductor CIS—— CMOS Image Sensor 电荷耦合器件图像传感器 （CCD） CMOS与CCD图像传感器的研究几乎是同时起步，固体图像传感器得到了迅速发展。 CMOS图像传感 器： 由于受当时工艺水平的限制， 图像质量差、分辨率低、噪声降不下来，因而没有得到重视和发展。 CCD图像传感 器： 光照灵敏度高、噪音低、像素少等优点 一直主宰着图像传感器市场。 由于集成电路设计技术和工艺水平的提高，CMOS图像传感器过去存在的缺点，现在都可以找到办法克服，而且它固有的优点更是CCD器件所无法比拟的，因而它再次成为研究的热点。 1970年,CMOS图像传感器在NASA的喷气推进实验室JPL制造成功， 80年代末，英国爱丁堡大学成功试制出了世界第一块单片CMOS型 图像传感器件， 1995年像元数为（128×128）的高性能CMOS有源像素图像传感器由喷气推进实验室首先研制成功， 1997年英国爱丁堡VLSI Version公司首次实现了CMOS图像传感器的商品化， 2000年日本东芝公司和美国斯坦福大学采用0.35mm技术开发的CMOS-APS，成为开发超微型CMOS摄像机的主流产品。 2000年9月美国Foveon和国家半导体公司采 用0.18mm CMOS工艺开发出1600万像素（4096×4096）CMOS图像传感器 到目前为止, 在开发CMOS图象传感器中所采用的先进的关键技术可归纳如下： (1) 相关双取样 (CD ) 电路技术； (2) 微透镜阵列制备技术； (3) 彩色滤波器阵列技术； (4) 数字信号处理 (DSP) 技术； (5) 抑制噪声电路技术； (6) 模拟数字转换 (A/D ) 技术； (7) 亚微米和深亚微米光刻技术。 二、 CMOS图像传感器的结构 2. CMOS图像传感器的像敏单元结构 四、CMOS图像传感器的性能参数 4、噪声 （1）光敏元噪声： 热噪声、散粒噪声、g-r噪声、电流噪声 （2）MOS噪声 （3）工作噪声：复位噪声、空间噪声 5、空间传递函数 五、CMOS与CCD图像传感器性能比较 CCD与 CMOS图象传感器出货量 （单位：百万颗） 六