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11无机非金属一班 11206090105 葛栋 11无机非金属一班葛栋BaTiO3基复合PTC材料的研究钛酸钡 PTC 效应 特性 应用 掺杂 指导老师：李燕 2013-12-30   BaTiO3基复合PTC材料的研究 摘要： 本章阐述了 BaTiO3基 PTC 陶瓷材料的基本理论模型及发展过程、BaTiO3陶瓷材料的掺杂改性机理、PTC 材料的特性、应用以及前景展望，介绍了本实验的主要内容研究目的和意义。 关键词：钛酸钡 PTC 效应 特性 应用 掺杂 第一章 绪论 1.1前言 PTC材料是一种典型具有温度敏感性的半导体电阻，超过一定的温度(居里温度)时，它的电阻值随着温度的升高呈阶跃性的增高。经过半个多世纪的发展，PTC被广泛用来制造各种自动恒温发热体起动开关元件，过流及过热保护元件，旁热信息感应的温度传感器，有铁电陶瓷中继陶瓷电容器和压电陶瓷的第三类陶瓷产品。由于PTC材料研究的跨学科性及制备工艺和方法的纷繁复杂性，以及其材料越来越广泛的运用，科研人员对PTC材料的研究也越来越多，也越来越深入。 1.2 PTC材料分类 PTCR是positive temperature coefficient resistance的缩写，即正温度系数热敏电阻，其电阻随温度变化的关系如下图1-1所示。 图1-1 PTCR热敏电阻阻温特性曲线 PTCR材料有许多独特的性能，如：电阻－温度特性，电压－电流特性、电流－时间特性和和耐压特性等。正是这一独特的电热物理性能，作为一种重要的基础控制元件，在电子、机械、医疗卫生、农业、食品、家用电器等各个领域得到了广泛的应用；此外，在火箭、人造卫星等军用和航天设备上，PTCR热敏电阻也开始被使用，使用寿命可长达10年以上[1-4]。近来，随着各个行业对新材料的开发要求，已研制出了各种 PTC材料，如高分子基复合PTCR材料、高膨胀陶瓷基复合PTCR材料、半导体陶瓷基PTCR材料等。 1.2.1 高分子基复合 PTCR 材料 高分子基复合物PTCR材料是以半结晶材料（聚乙烯）或无定型高分子（环氧化合物）为基体，导电颗粒（炭黑、硼化物、硅化物、陶瓷颗粒）高度分散在其中而形成的一种复合体系。 1.2.2 高膨胀陶瓷基复合PTCR材料 高膨胀陶瓷PTC是将导电陶瓷材料与绝缘的高膨胀陶瓷材料复合在一起制得的一种高温PTC材料。 1.2.3 半导体陶瓷基 PTCR 材料 半导体陶瓷基PTCR材料又分为：以V2O3为基的复合PTCR材料、BaPbO3基PTCR材料和BaTiO3基的PTCR材料。 以V2O3为基的复合物体系在转变点处表现为由金属到绝缘体的性质，从而产生PTC效应。 BaPbO3陶瓷具有优异的金属导电特性，其室温电阻率仅为 5.0~8.0×10-4Ω·cm，现已在陶瓷电极、导电胶、抗腐蚀涂料及高温导体上获得了一定的应用。 而半导体BaTiO3基PTCR材料最具代表性，也是当前研究的最成熟，使用范围最广的PTCR材料，接下来将详细介绍。 1.3 BaTiO3基 PTCR 材料 1.3.1 BaTiO3的晶体结构 BaTiO3是一种典型的、具有 ABO3型钙钛矿结构的铁电晶体材料。从构成它的三种离子的半径分析，由于 ABO3型钙钛矿结构形成的必要条件可以用容限因子 t 来表示[5-6]，它的一般定义是 （1-2） 式中，为 A 位离子的半径；为 B 位离子的半径；为氧离子的半径。大量实验研究表明：当满足 0.8≤t≤1.1 时，晶体可以形成钙钛矿型结构。而在BaTiO3晶体中，= 0.161nm，= 0.061nm， = 0.140nm，由式(1-2)计算可得 t=1.06，满足容限因子的条件，从而可以证明BaTiO3是具有钙钛矿构型的晶体，其晶体结构如图1-2(a)所示 图1-2 BaTiO3 晶体结构 1.4 BaTiO3的掺杂改性 纯的钛酸钡陶瓷是一种很好的绝缘体,室温电阻率高达1012Ω.m，1950 年 Haayman 等人发现在 BaTiO3材料中加入微量的稀土元素，其室温电阻率会大幅下降成为半导体陶瓷，当材料的温度上升到它的居里温度时，其电阻率将急剧上升,变化达 5~8 个数量级，这种现象即 PTC 效应。PTC 效应与材料的铁电相变有关，PTC 材料属于晶粒为半导化而晶界为绝缘的一种陶瓷材料，因此在制造工艺上，为了使其充分的半导化必须掺杂，几十年来钛酸钡的掺杂改性的研究一直备受关注，国内外学者进行了大量的实验和论证。对 PTC 材料而言，一般有两种掺杂方式，即施主掺杂和受主掺杂。对 BaTiO3进行施主掺杂可使钛酸钡半导化，施主杂质的引入能提供导电电子，使其半导化，从而具有较低的室温电阻；而受主杂质的引入可以形成导电的空穴，提高晶界势垒，从而