X射线光刻研究.ppt

 X射线光刻的发展可以追溯到本世纪70年代初,1972年Spears和Smith发表了第一篇有关X射线光刻的论文。由于当时集成电路的线宽在5μm左右,不仅普通的光学光刻能完全满足要求,而且X射线光刻也遇到了诸如掩膜版的材料与制备、光致抗蚀剂、光源等方面的困难,因此X射线光刻研究进展比较缓慢。 到90年代,当时人们认为光学光刻技术开始逼近其物理极限,作为能满足下世纪初VLSI生产要求的X射线光刻技术受到了极大的重视,世界各大半导体公司及一些国家级实验室都在这一领域投入了巨大的人力和财力,使之已成为新的研究热点。 从1994年,美国IBM和Motorola公司起正式合作开发X射线光刻技术,之后它们又与日本的东芝、NEC、三菱和NTT联合宣布对X射线光刻机采用共同的掩膜标准,因此将这项光刻技术的研究推向了高潮。在光刻机的曝光方式方面,由于所有光学材料对X射线的折射率都略小于1,这样在X射线光刻机中使用折射光学系统就很困难,因此起先的X射线光刻主要采用接近式曝光方式。此外,利用全外反射的投影式光刻机之后也被采用。同时,掩膜版的制备及修复技术,适合X光的抗蚀剂及X射线源的研制方面也都取得了很大进展。当时专家们认为X射线光刻将可能首先用于特征尺寸为0.25μm的256Mbit/DRAM的生产,然后再扩展到0.18μm,最后分辨率达到0.1μm以下。 X射线是光线波长介于紫外线和γ射线 间的电磁辐射。它是一种波长很短的电磁辐射，其波长约为（20～0.06）×10-8厘米之间。由德国物理学家W.K.伦琴于1895发现，故又称伦琴射线。伦琴射线具有很高的穿透本领，能透过许多对可见光不透明的物质，如墨纸、木料等。这种肉眼看不见的射线可以使很多固体材料发生可见的荧光，使照相底片感光以及空气电离等效应，波长越短的X射线能量越大，叫做硬X射线，波长长的X射线能量较低，称为软X射线。波长小于0.1埃的称超硬X射线，在0.1～1埃范围内的称硬X射线，1～10埃范围内的称软X射线。 接近式X射线光刻(proximity X-ray lithography,简称PXL)，它主要由X射线掩模、光刻胶、步进光刻机和X射线光源组成,以下将对四大主要组成部分进行逐一介绍。 PXL的原理,即平行入射的X光透过1∶1式的X射线掩模直接到达光刻胶表面,不需要光学系统,所以不存在光学系统像差的问题,而且PXL是步进式的,不需要解决光学光刻步进扫描过程中的同轴扫描问题。X射线波长很短，衍射效应很小。因此，PXL能够精确复制图形。另外,PXL还具有分辨率高、焦深大、曝光像场大、产量高、对曝光基片衬底反射无特殊要求、曝光环境灵敏度低、X射线掩模可以自复制、光刻工艺宽容度大、工艺简单、与IC工艺兼容、光刻分辨率技术延伸性大、成本较低、技术较成熟等诸多优点。 X射线掩模的结构示意图如图所示。由图可见,X射线光刻掩模是由低原子序数的轻元素材料形成的衬基薄膜(如SiC、金刚石等)和附着在该衬基薄膜上的高原子序数X射线吸收体(如Ta和W等)图形组成。 * X射线光刻技术的发展 什么是X射线？ 注：X光光刻分为X射线接近式光刻和软X射线投影式光刻，为了强调软X射线投影光刻与现有光刻的连续性，现在业界普遍称其为“极紫外投影光刻”。 PXL的组成 PXL的原理 X射线源 为X射线光刻提供支持的有两类X射线源波长都在软X射线范围。一种是同步辐射源,它可由多台光刻机共同使用;另一种是仅由单台光刻机使用的点光源。在接近式曝光中,同步辐射源的波长0.6nm～1.0nm,点光源的波长为0.8nm～1.4nm。在投影曝光中,X射线波长为8nm～25nm,典型值是13nm。同步辐射源是目前亮度最高的软X射线源,它有输出能量高、稳定性高和准直性好等优点,因此可以降低接触曝光像场边缘的阴影效应,获得大的焦深和高的分辨率。但是这种X光源需建造耗资为1500～2000万美元的电子直线加速器和电子储存环,因而价格昂贵。鉴于这种情况,许多大公司都在致力发展点X射线源. ( 1)基底透明层必须对X射线有高的透明度,透过率 50% ,同时又对可见光透明，透过率 70% ; ( 2)透明层薄膜应力小、平整,有足够的强度、机械稳定性和吸收薄膜应力(以利于减小X射线掩模图形尺寸畸变) ; ( 3)耐辐射; ( 4)缺陷密度低; ( 5)吸收体具有较高的X射线吸收细数和足够的厚度，以确保良好的曝光掩蔽性能。 ( 6)有高的掩模反差,即掩模