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微波半导体材料 宽带隙半导体微波器件 近年来,以SiC、GaN和半导体金刚石为代表的宽带隙半导体微波器件的研究开发引入注目。这类器件适宜在高频、高温(500℃)、强辐射环境下工作,具有优异的微波功率性能,其中以SiC的器件技术最为成熟。 讨 论 1、单晶硅（s-Si）、多晶硅（p-Si）与非晶硅（a-Si）在结构与性能上的差异 Single Crystal Silicon; Polycrystalline Silicon and Amorphous Silicon 2、应用举例 The most important and fundamental electronic materials and devices（电子材料与器件）; photoelectronic devices（光电器件）; Solar Cells（太阳能电池）; Photovoltaic Cells (光伏电池)Integrated Circuit (IC，集成电路), etc. 3.1.2 半导体材料的地位 几种主要半导体的发展现状与趋势 讨论：Si与III-V族化合物半导体的区别 带隙宽(Larger Forbidden Gap, Eg)，适于高温器件应用； 载流子迁移率高（Higher Carrier Mobility，μe/ μh ）;适于高频高速应用； 直接跃迁型(Direct Transition)，光电转换效率高。 延伸阅读 半导体超晶格材料 ?????超晶格材料是两种不同组元以几个纳米到几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性的多层膜，事实上就是特定形式的层状精细复合材料。科学界对许多种材料间组成的超晶格进行过大量的实验研究，表明的确存在两种组元单独存在时所没有的性质，其中半导体超晶格研究目前最为系统和深入，可望成为新一代的微电子、光电子材料。? ?????最初的半导体超晶格是由砷化镓和镓铝砷两种半导体薄膜交替生长而成的。当前半导体超晶格材料的种类已扩展到铟砷／镓锑、铟铝砷／铟镓砷、碲镉／碲汞、锑铁／锑锡碲等多种。组成材料的种类也由化合物半导体扩展到锗、硅等元素半导体，特别的是近年来发展起来的硅／锗硅应变超晶格，由于它可与当前硅的平面工艺相容和集成，格外受到重视，甚至被誉为新一代硅材料。目前已利用这种材料试制了调制掺杂场效应晶体管（MDFET）。在集成光电子学中，为了在硅芯片上制造锗检波管，可以用这种超晶格材料来作为过渡，使能隙逐渐缩小到锗的能隙。? ?????半导体超晶格结构不仅给材料物理带来了新面貌，而且促进了新一代半导体器件的产生，除可制备高电子迁移率晶体管、调制掺杂的场效应管、高效激光器、红外探测器外，还能制备先进的雪崩型光电探测器和实空间的电子转移器件，并正在设计微分负阻效应器件、隧道热电子效应器件等，它们将被广泛地应用于雷达、电子对抗、空间技术等领域。?  延伸阅读：量子阱 量子阱是指由2种不同的半导体材料相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱。量子肼的最基本特征是，由于量子阱宽度(只有当阱宽尺度足够小时才能形成量子阱)的限制，导致载流子波函数在一维方向上的局域化。在由2种不同半导体材料薄层交替生长形成的多层结构中，如果势垒层足够厚，以致相邻势阱之间载流子波函数之间耦合很小，则多层结构将形成许多分离的量子阱，称为多量子阱。如果势垒层很薄，相邻阱之间的耦合很强，原来在各量子阱中分立的能级将扩展成能带(微带)，能带的宽度和位置与势阱的深度、宽度及势垒的厚度有关，这样的多层结构称为超晶格。具有超晶格特点的结构有时称为耦合的多量子阱。量子肼中的电子态、声子态和其他元激发过程以及它们之间的相互作用，与三维体状材料中的情况有很大差别。在具有二维自由度的量子阱中，电子和空穴的态密度与能量的关系为台阶形状。而不是象三维体材料那样的抛物线形状。 量子阱的制备通常是通过将一种材料夹在两种材料（通常是宽禁带材料）之间而形成的。比如两层砷化铝之间夹着砷化镓。一般这种材料可以通过MBE（分子束外延）或者CVD（化学气相沉积）的方法来制备。  应变超晶格 * * * * 3.1.1 半导体材料的发展 按功能和应用分 微电子半导体 光电半导体 热电半导体 微波半导体 气敏半导体（ZnO,SnO2） ∶ ∶ 按组成分： 无机半导体：元素、化合物 （Si,Ge,GaAs, InP，GaN,SiC 等） 有机半导体（酞菁类及多环、稠环化合物，聚乙炔） 按结构分: 晶体：单晶体、多晶体 （规则外形，各向异性/各向同性，有固定的熔点） 非晶、无定形 （无规则外形，各向同性，只有玻璃化温度） 3.1.1.1 无机半导体晶体材料 无机半导体晶体材料 元素半导体 化合物半导体 固溶体半导体 (Si1-x