半导体物理北交经典课件考研必备-前言.pptVIP

半导体物理学 北京交通大学 光电子技术研究所 前言 ●什么是半导体 ●半导体的分类 ●半导体的地位 ●半导体的发展 三、半导体材料的地位 几种主要半导体的发展现状与趋势 ● GaAs和 InP单晶 ●世界GaAs单晶的总年产量已超过200吨。 （日本1999年的GaAs单晶的生产量为94吨， InP为27吨）。 以低位错密度生长的2～3英寸的导电GaAs衬底材料为主。 ● 研制直径3英寸以上大直径的InP 单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。 InP比GaAs ● 具有更优越的高频性能， ● 发展的速度更快； 但不幸的是 ●半导体超晶格、量子阱 III-V族超晶格、量子阱材料 GaAlAs/GaAs，GaInAs/GaAs， AlGaInP/GaAs； GaInAs/InP，AlInAs/InP， InGaAsP/InP等GaAs、InP基晶格匹配和应变补偿材料体系已发展得相当成熟。 已成功地用来制造超高速、超高频微电子器 件和单片集成电路。 * * * * 娄志东 ●半导体的晶体结构和电子状态 ●杂质和缺陷能级 ●载流子的散射及电导问题 ●载流子的统计分布 本课程主要内容(1) ●非平衡载流子的产生、复合及运动规律 本课程主要内容(2) ●半导体的表面和界面 （pn结、金属与半导体接触、半导体表面与 MIS结构、半导体异质结构） ●半导体的光、热、磁、压阻等物理现象 ●非晶半导体 主要中文参考书 ●刘恩科：半导体物理学 ●田敬民：半导体物理问题与习题 ●钱佑华、徐至中：半导体物理 ●夏建白：现代半导体物理 ●夏建白：半导体超晶格物理 ●许振嘉：近代半导体材料的表面科学基础 ●方俊鑫：固态物理学 ●贺德衍译：半导体材料物理基础 主要英文参考书 ●PY Yu: Fundamentals of Semiconductor Physics: Physics and Materials Properties ●Robert F.Pierret: Semiconductor Device Fundamentals(Part1) ●M.Balkanski: Semiconductor Physics and Applications ●S Wang: Fundamentals of Semiconductor Theory and Device Physics 一、什么是半导体？ 固体材料可分成：超导体、导体、 半导体、绝缘体 从导电性（电阻）： 电阻率ρ介于导体和绝缘体之间，并且具有负的电阻温度系数→半导体 ●电阻率 导体： ρ＜10-3Ωcm 例如：ρCu~10-6Ωcm 半导体：10-2Ωcm＜ρ＜109Ωcm ρGe=0.2Ωcm 绝缘体：ρ＞109Ωcm T R 半导体 金属 绝缘体 ●电阻温度系数 ●电子激发能隙 导体：Eg ~ 0 例如： Eg (Cu) ~ 0 eV 绝缘体： Eg ? 3 eV 例如： Eg (SiO2)=8.0 eV 半导体： 0 ? Eg ? 3 eV 例如： Eg (Si) =1.12 eV 例外 ●半导体金刚石 ( Eg ~ 6 eV ) ●半绝缘砷化镓GaAs ( Eg ~ 1.5 eV ) ●氮化镓GaN ( Eg ~ 3.5 eV ) ●硫化锌 ZnS ( Eg ~ 3.5 eV ) 二、半导体材料的分类 按功能和应用分 微电子半导体 光电半导体 热电半导体 微波半导体 气敏半导体 ∶ ∶ 按组成分： 无机半导体：元素、化合物 有机半导体 按结构分: 晶体：单晶体、多晶体 非晶、无定形 1.无机半导体晶体材料 无机半导体晶体材料 元素半导体 化合物半导体 固溶体半导体 Ge Se Si C B Te P Sb As 元素 半导体 S I Sn 熔点太高、不易制成单晶 不稳定、易挥发 低温某种固相 稀少 (1)元素半导体晶体 化合物 半导体 Ⅲ-Ⅴ族 Ⅱ-Ⅵ族 金 属氧化物 Ⅳ-Ⅵ族 Ⅴ-Ⅵ族 Ⅳ-Ⅳ族 InP、GaP、GaAs、InSb、InAs CdS、CdTe、CdSe、 ZnS SiC GeS、SnTe、GeSe、PbS、PbTe AsSe3、AsTe3、AsS3、SbS3 CuO2、ZnO、SnO2 (2)化合物半导体及固溶体半导体