alganga异质结构的变温电学特性.pdfVIP

摘要 摘要 国际上的一个研究热点，随着GaN薄膜生长技术的提高，对于异质结构的研究不 仅仅是追求常规常温下的电学特性参数，而更要求在更宽的温度范围内对 A1GaN／GaN异质结构的电特性进行各种机理的分析，建模以及高温应用的可行性 及退化机理的分析。本文即在此背景下对AIGaN／GaN异质结构的变温电学特性进 HFET 行一个研究，使用到了肖特基电容电压(CV)效应，低场下Hall效应以及FAT 长栅器件的电容电压．电导电压(CC)测试的表征手段，在77K至673K的高温下 对其进行AIGaN／GaN电子体系的研究，2DEG密度与迁移率的变温依赖关系以及 AIGaN／GaN异质结构的高温电子输运特性等等，主要的研究工作以及成果如下： l 利用极化理论和一维薛定谔．泊松联立方程的自洽求解研究了2DEG界面不同 温度下的变化，在700K的高温下，2DEG依然获得很高的限域性，证实了 模上发现，在低温段，主导2DEG迁移率的散射机制有粗糙度散射，合金无序散 射以及压电散射，在室温段，几乎所有的散射机