极性宽禁带半导微结构与新效应研究.pdf

摘 要 摘 要 近几年来，纵观材料学界乃至物理学界，GaN和ZnO材料的研究都是热门课 题，吸引了很多研究者的目光。在进行具有巨大经济效益的大量研究同时，对一 些基础问题的深入研究仍不可忽视，材料的微结构就是其中的重要问题之一。同 属于宽禁带半导体材料的GaN和ZnO，极性成为联结的纽带。本论文从极性这～ 宽禁带半导体材料本质属性出发，研究微结构与材料物理性质的对应关系，主要 的创新性成果如下： 1．GaN内刃位错引起的局部压电极化增强效应 本论文通过微结构与电学性质对应关系的研究，证明了GaN层的刃位错附近 存在压应变，产生局部的压电极化电场方向与A1GaN层中的压电电场方向相反， 增强了对2DEG的限制效应；这种压应变属于流体静应变，除非GaN中不存在11 型背景载流子，否则将永远伴随着刃型位错；它所引起的局部压电极化增强效应 是GaN基电子器件有高的位错密度，却仍可以正常工作的原因之一。 2．横向生长效应决定的GaN微结构及光学性质 本论文通过对MOCVD生长机理的研究，提出了有关高温GaN层横向生长的 物理模型，指出在高的横向生长速度下，位错易于弯向完整晶粒的内部，这被证 明减弱了材料的发光效率；而垂直传播的位错与大的晶粒尺