《微电子传感器4》.pptVIP

氧化物 半导体 R0 R2 C2 R1 C1 水分子 晶界接触电阻 晶界接触电容 电极界面接触电阻 电极界面接触电容 晶粒体电阻 聚集在晶粒交界处的大量水分子会电离出大量的导电离子，降低氧化物半导体的晶界接触电阻，进而器件的总电阻显著下降。 通常很大 氧化物 半导体 R0 R2 C2 R1 C1 C1 R1 R2 C2 R0 Rp Cp 水分子 晶界接触电阻 晶界接触电容 电极界面接触电阻 电极界面接触电容 可忽略 * * * * 半导体结型 MOS型 高分子型 陶瓷型 电解质型 电子传感器 湿度的概念 绝对湿度表示单位体积的空气中含水汽的质量，其单位为kg/m3, 其定义为 mV为待测4空气中的水汽质量 V为待测空气的总体积 相对湿度为待测空气的水汽分压与相同温度下水的饱和蒸汽压之比，通常用%RH表示,其定义为 PV为待测空气中的水汽分压，PW为水的饱和蒸汽压 1、电容型湿度传感器 自1953年,Ansbacher和Jason首先在?Nature?杂志上报告了多孔Al2O3的湿度效应以来,因为其良好的低湿度感湿特性,独特的形成机制、感湿机理而受到普遍的重视。在Al2O3湿度传感器的发展过程中,逐渐形成以电容值作为感湿特征量来测量湿度。基本结构绝大部分为以铝基片和金膜作为两极,以化学阳极氧化法生成的多孔Al2O3层为介质的电容器。 多孔氧化物电容湿度传感器 多孔氧化物电容湿度传感器 高分子电容湿度传感器 水分子 金属膜上电极 氧化铝膜 金属膜下电极 孔洞 电容？ 增加 吸湿 多孔氧化物电容湿度传感器原理 水的介电常数ε为80 等效电路模型分析法 多孔氧化物电容湿度传感器敏感机理分析方法之一 由于水分子进入孔中更多是吸附在孔壁表面，从而会影响到孔壁表面的电阻，因此水分子对多孔氧化铝薄膜电学特性的影响要比想象的情况更复杂，因此建立更详细的模型对于分析其湿敏机理是有帮助的。 Rp Cp 氧化铝 气 孔 C0 R0 R1 R2 C2 C2 R2 R0 C0 R1 氧化铝多孔湿度传感器 金属电极 水分子 孔壁表面电阻 C2 R2 R0 C0 R1 C2 R2 R0 C0 R1 Rp Cp 湿度上升，孔壁表面电阻R1下降，导致CP上升 Rp Cp 湿度上升，孔壁表面电阻下降，导致CP上升 湿敏传感器的等效电路模型对于定量分析 传感器的响应特性以及进一步设计改进传 感器的响应特性有很大帮助。 低湿段线性较好 高分子电容湿度传感器 高分子电容式湿度传感器通常都有较好的线性 电容变化量的检出 电容电桥 多谐振荡器 双T二极管交流电桥 双T二极管环行检波电路 阻抗电桥电路在检测电容变化方面取得成功的应用，典型电路如图所示，为方波发生器U0，工作频率为f，C2为固定电容 双T二极管交流电桥 3、二极管环行检波电路 Cc Cc Cf Cf D3 D4 D1 D2 Cx C0 D Rf Rf A B Vo Vp C + + + 正半周对电容Cx、C0充电 Cc Cc Cf Cf D3 D4 D1 D2 Cx C0 D Rf Rf A B Vo Vp C - ΔQBA 负半周电容Cx、C0放电 ΔQAB 低通滤波电路 不压力作用时，ΔQBA =ΔQAB A、B两点间没有电位差 ΔQBA 为一个周期内从B点转移到A点的电荷量 ΔQAB 为一个周期内从A点转移到B点的电荷量 Cc Cc Cf Cf D3 D4 D1 D2 Cx C0 D Rf Rf A B Vo Vp C - ΔQBA ΔQAB 低通滤波电路 QA =Q-ΔQAB +ΔQBA QB =Q -ΔQBA +ΔQAB =Q+(ΔQBA-ΔQAB) =Q –(ΔQBA -ΔQAB) 当Cx受湿度作用变大时，ΔQBA ΔQAB ,B点直流电位将下降一个ΔU A点直流电位将上升一个ΔU A、B两点间将形成大小为2ΔU的直流电位差 经过低通滤波器滤去交流成分后后，输出电压将为直流电位差2ΔU，即 Uo =2ΔU ΔU =Uo /2 Cc Cc Cf Cf D3 D4 D1 D2 Cx C0 D Rf Rf A B Vo Vp C - + + ΔQBA ΔQAB 低通滤波电路 ΔQBA是否始终大于ΔQAB？ ~ Cc可视为交流短路 设Cp =2pF，Vp =2V, Ud =0.6V,C0 =1.7pF,在一定湿度下Cx 达到2.1pF,输出直流电压为： 考虑到在C点和D点的寄生电容（设都是Cp），上式可变为 A点直流电位的上升将导致C0的充电电压上升，将最终平衡两个电容差异造成的电荷移动量的差异，使A、B两点的电位差维持稳定状态 可见，这种方法有较大的输出电压 无须放大就能实现较大的输出 氧化物半导体湿度传感器 2