《微电子器件（2-2）》.pptVIP

在常用的正向电压和温度范围内，PN 结的正向电流以扩散电流 Jd 为主。这时正向电流可表示为 2.2.5 正向导通电压 由于反向饱和电流 I0 的值极小，当正向电压较低时，正向电流很小，PN 结似乎未导通。只有当正向电压达到一定值时，才出现明显的正向电流。将正向电流达到某规定值（例如几百微安到几毫安）时的正向电压称为 正向导通电压，记作 VF 。 V(V) I (mA) 0.2 0.4 0.6 2 4 6 0 0.8 硅 锗 * * PN 结在正向电压下电流很大 ，在反向电压下电流很小 ，这说明 PN 结具有单向导电性，可作为二极管使用。 2.2 PN 结的直流电流电压方程 PN 结二极管的直流电流电压特性曲线，及二极管在电路中的符号为 本节的重点 1、中性区与耗尽区边界处的少子浓度与外加电压的关系。这称为“结定律”，并将被用做求解扩散方程的边界条件； 2、PN 结两侧中性区内的 少子浓度分布 和 少子扩散电流； 3、PN 结的 势垒区产生复合电流 P 区 N 区 xn -xp 平衡 PN 结的能带图 N 区 P 区 面积为 Vbi 2.2.1 外加电压时载流子的运动情况 外加正向电压 V 后，PN 结势垒高度由 qVbi 降为 q(Vbi -V) ，xd 与 减小， P N x 0 平衡时 外加正向电压时 外加电场 内建电场 面积为 Vbi-V 使扩散电流大于漂移电流，形成正向电流。 势垒高度的降低不能再阻碍 N 区电子向 P 区的扩散及 P 区空穴向 N 区的扩散，于是形成正向电流。由于正向电流的电荷来源是多子，所以正向电流很大。 V P 区 N 区 0 正向电流密度由三部分组成： 1、空穴扩散电流密度 Jdp ( 在 N 区中推导 ） 2、电子扩散电流密度 Jdn ( 在 P 区中推导 ） 3、势垒区复合电流密度 Jr ( 在势垒区中推导 ） 外加反向电压 V (V 0) 后，PN 结的势垒高度由 qVbi 增高到 q(Vbi -V)，xd 与 都增大。 P N x 0 平衡时 外加反向电压时 外加电场 内建电场 面积为 Vbi -V 面积为 Vbi 多子面临的势垒提高了，难以扩散到对方区域中去了，但是少子面临的势阱反向更深了，所以容易被反向电场拉入对方区域，从而形成反向电流。 由于反向电流的电荷来源是少子，所以反向电流很小。 V P 区 N 区 0 反向电流密度也由三部分组成： 1、空穴扩散电流密度 Jdp 2、电子扩散电流密度 Jdn 3、势垒区产生电流密度 Jg（ Jg 与 Jr 可统称为 Jgr ) 外加电压 V 后， 从而得： 2.2.2 势垒区两旁载流子浓度的玻尔兹曼分布 可知平衡时在 N 型区与耗尽区的边界处即 xn 处的空穴浓度为 根据平衡 PN 结内建电势 Vbi 的表达式 上式说明：当 PN 结有外加电压 V 时，中性区与耗尽区边界处的少子浓度等于平衡时的少子浓度乘以 exp (qV/kT ) 。以上两式常被称为“结定律”，对正、反向电压均适用。但在正向时只适用于小注入。 因此，在 N 型区与耗尽区的边界处，即 xn 处， 同理，在 P 型区与耗尽区的边界处，即 – xp 处， （2-44） （2-45） 2.2.3 扩散电流 求扩散电流的思路：首先确定少子浓度的边界条件；结合边界条件求解少子的扩散方程，得到中性区内非平衡少子浓度分布；将少子浓度分布代入略去漂移电流后的少子电流密度方程，即可得到少子扩散电流密度 Jdp 与 Jdn 。 P 区 N 区 xn -xp 假设中性区的长度远大于少子扩散长度，则根据结定律可得 少子浓度的边界条件 为 对于 非平衡少子，其边界条件为 1、少子浓度的边界条件 外加正向电压且 V kT/q ( 室温下约为 26 mV ) 时，非平衡少子的边界条件是 外加反向电压且|V| kT/q 时，非平衡少子的边界条件是 直流情况下 ，又因 ，故可得 由第一章的式（1-23），N 区中的空穴扩散方程为 式中， ，称为空穴的 扩散长度，典型值为 10 ?m 。 （1-23）