《微电子系统chap2p1》.pptVIP

第二章 第一部分 MOS晶体管 金属-氧化物- 半导体(Metal-oxide-Semiconductor)场效应晶体管，简称MOS场效应晶体管(MOS-FET) MOS器件已成为当前集成电路的基本元件 MOS晶体管的介绍 MOS晶体管有三个端子分别称为源极S(Source)、栅极G(Gate)和漏极D(Drain)。 在正常工作状态下，栅极加上一定的电压，栅极下方会形成连结源极与漏极的沟道。 载流子在电场控制下形成沟道电流。由于只有一种载流子导电，因而也称为单极晶体管。 MOS器件根据沟道的特性分为n沟道MOS晶体管和p沟道MOS晶体管； 在NMOS晶体管中载流子是电子； 在PMOS晶体管的载流子是空穴。 有时也将n沟道MOSFET和P沟道MOSFET，简记作NMOS和PMOS。 根据栅压为零时导电沟道是否已经形成，又可将MOS晶体管分为增强型与耗尽型两类晶体管。 零栅压时，导电沟道未形成，无漏极（沟道）电流的晶体管称为增强型管 零栅压时，导电沟道已经形成，有漏极（沟道）电流流过的晶体管称为耗尽型管。 MOS晶体管工作原理 增强型NMOS晶体管基本结构 增强型NMOS晶体管的电流方程 参数μn 、 ε、 tox是与工艺，材料有关的量。当制造工艺确定后，是不能随意改变的。 MOS晶体管沟道宽度W 与长度L 是MOS晶体管设计时一对重要的几何参数 ，是设计者能够控制改变的唯一一组参数。 沟道长度调制效应 在推导MOS晶体管特性方程时，认定载流子迁移率是常量，没有考虑漏源电压VDS改变引起沟道长度的变化，并且忽略了器件中的漏电流。 在长沟道器件中，沟道长度的少许变化无足轻重，但是当器件尺寸减小时就必须考虑这种变化。 沟道长度减小引起沟道宽长比增大，因此β将随两极电压的增大而变大。这种现象称为沟道长度调制效应。 沟道长度调制效应 沟道长度调制效应的结果使在饱和区内漏极电流随漏极电压的增大而缓慢增大，使器件具有有限的输出阻抗。 NMOS增强型晶体管的转移特性曲线 耗尽型NMOS晶体管 在制造耗尽型管子时，对漏源之间的沟道区进行离子注入，产生一个n型薄层，形成导电沟道。因而在栅源电压VGS为零时导电沟道就已经存在．只要加上适当的漏源电压就可产生漏源电流。VGS和VDS对ID的控制作用原理和增强型管相似。 当栅源间施以负电压时，沟道区反型层变薄，沟道电阻增大，漏极电流ID减小。当负栅压增加到一定值时，薄反型层中载流子耗尽，沟道消失，晶体管截止，漏极电流为零。 耗尽型NMOS晶体管特性曲线 PMOS晶体管 和NM0S晶体管相反，如果在n型衬底上制作两个p+重掺杂区作为漏极与源极，在这两个电极之间衬底的氧化层上设置栅极，就得到了PMOS晶体管。 当栅源之间加上负电压时，由于电场的作用，栅极下方村底将产生一个空穴导电沟道，这—部分n型衬底转变为P型反型层。 PMOS晶体管基本结构 根据PMOS晶体管与NMOS晶体管的对偶特性，只要改变电压与电流的符号，前述NMOS晶体管的电流方程和特性曲线也适用于PMOS晶体管。但相应公式中的电子迁移率μn则应以空穴迁移率μp代替 在半导体硅材料中，一般室温下的空穴迁移率大约是500cm2／V·s，而电子迁移率大约是1300cm2／V·s。 在相同几何形状和相同工作条件下，PMOS晶体管的导通电阻比NMOS晶体管的导通电阻大两倍多。所以，在相同条件下NMOS器件可以做得比PMOS器件小些。换言之，NMOS器件比PMOS器件有较高的工作速度和封装密度。这就是NMOS器件用得极为广泛的重要原因。 NMOS、PMOS不同工作区的端电压条件 MOS晶体管的电路模型 最常用的MOS器件模型，称为Shichman-Hodgos模型。在这个模型中，考虑了漏极与衬底以及源极与衬底构成的反向偏置二极管，以及各极间、各电极与衬底之间的电容。 NMOS晶体管基本结构 NMOS晶体管的电路模型 MOS集成电路工艺技术 工艺步骤是：氧化层生长、热扩散、离子注入、淀积和刻蚀． 还有所谓的光刻工艺，光刻是用来定域半导体面积的一种手段，在此确定的面积上，将进行各种工艺加工步骤． 第一种基本工艺步骤--氧化 氧化是在硅片表面生成一层二氧化硅(SiO2)膜的过程．氧化既生长在硅片表面上，也向硅片里面延伸。一般氧化层约有54％的厚度是在初始表面以上生成，46％的厚度则是在初始表面以下生成。 氧化层厚度用tox。表示． 通常氧化层厚度，薄的可小于500?(栅氧化层)，厚的可大于10000?(场氧化层)。 氧化的温度范围为700-1100℃，氧化层厚度与其生长时的温度及生长时间成比例。 氧化层的作用有三：绝缘层的作用； 保护层的作用；