《模拟电子技术基础—第二章常用半导体器件.》.ppt

第二章 半导体二极管及其 基本电路 2.4 二极管的基本电路及其分析方法 2）二极管的恒压降模型 3）二极管的折线近似模型 例 1 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 反向击穿类型： 电击穿 热击穿 反向击穿原因： 齐纳击穿： (Zener) 反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 (击穿电压 6 V，负温度系数) 雪崩击穿： 反向电场使电子加速，动能增大，撞击 使自由电子数突增。 — PN 结未损坏，断电即恢复。 — PN 结烧毁。 (击穿电压 6 V，正温度系数) 击穿电压在 6 V 左右时，温度系数趋近零。 从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7V时, 主要是雪崩击穿；若|VBR|≤4V时, 则主要是齐纳击 穿。当在4V～7V之间两种击穿都有 2.3.3 半导体二极管的参数 几个主要参数： (1) 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (2) 反向击穿电压VBR——— 和最大反向工作电压VRM 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压VBR。 为安全计，在实际 工作时，最大反向工作电压 VRM一般只按反向击穿电压 VBR的一半计算。 (3) 反向电流IR 在室温下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 (4) 正向压降VF (5) 动态电阻rd 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然， rd与工作电流的大小有关，即 rd =?VF /?IF (6)最高工作频率fmax (7)结电容Cj 2.3.4 半导体二极管的温度特性 温度升高时，反向电流将呈指数规律增加. 硅管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍； 锗管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。 另外，温度升高时，管的正向压降将减小， 每增加1℃，正向压降VF(VD)大约减小2mV， 即具有负的温度系数。如图2.13所示。 图 2.13 温度对二极管伏安特性曲线的影响 图示 2.3.5 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 1）理想二极管 特性 uD iD 符号及 等效模型 S S 正偏导通，uD = 0；反偏截止， iD = 0 U(BR) = ? uD iD UD(on) uD = UD(on) 0.7 V (Si) 0.2 V (Ge) uD iD Uth ?U ?I 斜率1/ rD rD1 Uth Vth=0.5V 4. 小信号模型 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） Uth 硅二极管，R = 2 k?，分别用二极管理想模型和恒压降模型求出 VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 时 IO 和 UO 的值。 理想模型 恒压降模型 [解] VDD = 2 V 理想 IO = VDD / R = 2 / 2 = 1 (mA) UO = VDD = 2 V 恒压降 UO = VDD – Uth= 2 ? 0.7 = 1.3 (V) IO = UO / R = 1.3 / 2 = 0.65 (mA) VDD = 10 V 理想 IO = VDD/ R = 10 / 2 = 5 (mA) 恒压降 UO = 10 ? 0.7 = 9.3 (V) IO = 9.3 / 2 = 4.65 (mA) VDD 大， 采用理想模型 VDD 小， 采用恒压降模型 电路如图，求：UAB V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳V阴 二极管导通 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 否则， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V 例2： 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 在这里，二极管起钳位作用。 D 6V 12V 3k? B A UAB + – 两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二