《电力电子变流技术》.docVIP

概 述 电力电子的定义： 国际电器和电子工程师学会（IEEE）的电力电子学会将电力电子技术表述为：有效的使用电力半导体器件，应用电路和设计理论及分析开发工具,实现对电能的高效能变换和控制的一门技术，它包括电压、电流、频率和波形等方面的变换。 是电力、电子、控制三大电气工程技术领域之间的交叉学科，与现代控制理论、材料科学、电机工程、微电子技术等诸多领域密切相关。 电力半导体器件的基本特点是能以小信号输入控制很大的输出，放大倍数极大。电力电子设备成为强弱电之间的接口技术基础。微电子技术(信息处理技术)与计算机技术的新成就,可以通过它移植到传统产业产品。电力半导体器件的另一基本特点是工作于开关状态,正向压降低而反向漏电流小,从而在理论上保证了各类电力电子设备都具有节能性能。 二. 电力电子器件的发展概况: 电力半导体器件工作方式为开关方式： 1、传统的电力电子技术以晶闸管(SCR)为核心,其派生器件快速SCR、通导SCR(RTC)、双向SCR(TRIAC)、不对称SCR(ASCR)形成一个SCR大家族。 2、现代电力电子技术以高频化、全控型的功率集成器件为基础发展的,以可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、功率场控晶体管(功率MOSFET)、绝缘栅级双极型晶体管(IGBT)、静电感应晶体管(SIT)、静电感应晶闸管(SITH)、MOS晶闸管(MCT)以及MOS 晶体管(MGT)等形成一个新型的全控型电力电子器件的大家族。 现代电力电子技术在器件、电路及其控制技术方面与传统电力电子技术相比有以下特点: 集成化、模块化、复合化 高频化 全控化 电路弱电化、控制技术数字化 多功能化 全控性电力电子器件比较 GTR GTO IGBT SIT SITH 控制方式 电流 电流 电压 电压 电压 反向电压阻断能力（V） 50 500-6500 200-2500 0 500-4500 正向电压阻断能力（V） 100-1400 500-9000 200-2500 50-1500 500-4500 正向电流（A） 400 3500 400-1000 200 2200 最大开关速度（HZ） 50K 10K 50K 200M 100K 门栅极驱动功率 高 中等 很低 低 中等 浪涌电流耐量 3倍额定 10倍额定 5倍额定 5倍额定 10倍额定 dv/dt 中等 低 高 高 高 Di/dt 中等 低 高 高 中等 最高工作结温（0C） 150 125 200 200 200 使用难易程度 较难 难 中等 容易 容易 三. 电力电子技术的应用 1、电力电子技术应用于从发电厂设备至家用电器的所有电气工程领域。 2、按功能可分为以下几种类型: 整流器——固定的AC变为可调的DC 逆变器——固定的DC变为可调的AC 斩波器——固定的DC变为可调的DC 交流调压器——固定的AC变为可调的AC （幅值可调） 周波变流器——固定的AC变为可调的AC （频率和幅值可调） 3、新型全控器件的发展为新型变流电路奠定基础: 脉宽调制技术PWM（Pulse Width Modulation）ZVS和零电ZCS流开关（Zero Voltage and Zero Current Switchs） 晶闸管 普通晶闸管 一、晶闸管的结构: 管心由硅半导体材料做成，四层三端器件。 螺栓型：额定电流小于200A。螺栓为阳极A， 粗引线为阳极K，细引线为门极G. 平板型：额定电流小于200A。平面为阳极A， 引出线为门极G， 结构图如下所示： 二、晶闸管的导通关断条件 实验.exe 导通条件： 在晶闸管的阳极和阴极间加正向电压。 门极及阴极间提供适量的触发电压和电流，瞬刻提供后去掉。 SCR导通后，SCR仅1V左右的管压降，通过SCR的导通电流由电源电压及回路阻抗决定，其值应大于SCR规定的维持电流。 关断条件： 流过晶闸管的电流减小到维持电流以下 （可采用减小阳极电压到零，或阳极间加反向电压的方法） 三．SCR的工作原理 正向电压加到器件上 反向电压加到器件上 门极电流注入，正向电压加到器件上：电流方程组 （分别为的共基极漏电流，为共基极电流增益） 四．SCR触发导通的几种情况 门极触发： 阳极电压作用 作用 温度作用 光触发 晶闸管的特性 一．SCR 的伏安特性 二．门极伏安特性 SCR的门极伏安特性是指门极电压与电流的关系。 三．SCR的动态特性 开通过程 门极开通时间就是载流子积累和电流上升所需要的时间。 关断过程 具体过程见下图。 四、SCR 损耗 静态损耗 通态损耗 断态损耗 动态损耗 开通损耗