ZnO基稀磁半导体电子结构和磁性地研究.pdf

摘要 摘要 本论文主要利用同步辐射X射线吸收精细结构(XAFS)技术，并结合其它 多种实验手段从实验和理论两方面联合研究了不同方法制备的过渡金属掺杂 ZnO基稀磁半导体体系的结构和性能。采用溶胶一凝胶(s01．gel)法和脉冲激光沉 积(PLD)法、分别以平衡态生长方式和非平衡态生长方式制备出一系列过渡金属 单掺杂和共掺杂的样品。利用XAFS方法详细研究了在不同制备方法和掺杂条 件下过渡金属原子在ZnO介质中的局域结构变化以及掺杂原子对于基质中Zn 原子的局域结构的影响。得到了掺杂原子占位、配位环境等局域结构信息，解 析了过渡金属在基质ZnO中的存在方式及溶解度。结合超导量子干涉仪 (SQUID)和振动探针式磁强计(VSM)给出的磁学性质，从微观结构上探讨了 样品的铁磁性来源以及产生机理，为制备高性能的ZnO基半导体提供实验和理 论基础。 1．Co团簇在Znl。CoxO稀磁半导体薄膜中的作用 表明在低含量的Zno．98C00．020薄膜样品中，Co主要以替代位的形式存在，而 Co团簇的物相析出。磁性测量结果表明Co原子的磁矩Ms随着Co浓度的增 于氧空位的形成，处于替位式Co原子产生了较强的局域结构扭曲，诱导产生 本征弱室温铁磁性。 2． 共掺杂Cu离子在Zn0．95Coo．050稀磁半导体中的溶解度和结构的研究 semiconductors (O鳃O．08)稀磁半导体(dilutemagnetic DMS)材料。对于所有样 替代了Zn的位置，而在较高的Cu掺杂浓度(x≥O．05)，仍有少量Cu以CuO物相存在。 由XAFS结果估算得NCu离子在Zno．95Coo．050DMS中的溶解度约为0．04。同时，O 摘要 存在；而高温煅烧下的样品中处于替位式的Co、Cu离子均匀分散于ZnO的晶格 中。这些结果为合成共掺杂ZnO基DMS材料提供了实验指导。 3． Zoo．95-xCuxCoo．050纳米聚合物结构和性能的研究 表明样品具有弱的室温铁磁性。XAFS、xRD和xPS结果表明Co完全以替位式分 散至lJZnO晶格中，并且造成了局域结构的膨胀和扭曲。在较低Cu掺杂浓度伍固．02) 时，Cu离子以替位式形式存在，而在较高Cu掺杂浓度x錾．05时，部分Cu离子形 成CuO的物相。分析表明结构扭曲以及样品在施压过程中形成的晶界缺陷是 方向迁移形成局域杂质态，不能与O的2p轨道发生充分杂化，因此无法有效地诱 导铁磁相互作用。这就说明Cu2+／Zn2+替代不是产生铁磁性的唯一必要条件。微 成的Cu．O纳米相或CuO颗粒等第二相。 局域结构溶解度磁性机理 Abs仃act Abstract naturethe Inthis structuresand of transitionmetal dissertation，the magnetic ZnO—basedDiluted Semiconductors(DMSs)are (黝)doped Magnetic investigated radiation fine usingmainlysynchrotronx-rayabsorption and aseriesofthe and experimentallytheoretically．Weprepared dopingCO-doping ZnO—based DMSsdifferent as method，such by equilibriumstate(sol—gel)and