微波单片集成功放大器无生产线设计与研究.pdf

摘要 微波单片集成功率放大器无生产线设计与研究 宋家友，指导教师：王志功教授 东南大学 包括于机在内的民用消费无线通信产品在近十多年单取得了迅猛发展。任何无线通信 系统虽然构造不同，但都要用到射频功率放大器PA(Power Microwave 信产品中的关键部件。在各种PA器件中，微波单片集成电路MMIC(Monolithic Integrated 与生产方面一直处于落后状态，只有极少数军工研究所在砷化镓(GaAs)I艺上具有设计和 研p例-tH-,匕[‘力。因此，当前大量所需的功率放大器MMIC主要依赖进口。本文首先采用国外的 GaAs工艺，设计了工作在Ku频段的两块功率放大器MMIC。在民用消费电子产品领域已经 对GaAs工艺形成强有力竞争的锗硅双极CMOSI艺(SiGeBiCMOS)在国内则属于空白。本 文采用国外先进的SiGeBiCMOS工艺，设计和研制线性功率放大器的MMIC，目的就是填 补这一空白。本文所做的主要工作和取得的成