柔性衬底nip晶硅太阳电池的研究.pdf

中文摘要 中文摘要 微晶硅材料是国际公认的新一代高效、稳定的硅基薄膜太阳电池材料，nip 结构因适于制备柔性太阳电池而成为当前研究的一个热点。本论文采用常规 RF．PECVD技术成功制备了柔性衬底nip微晶硅单结电池和非晶硅／微晶硅叠层电 池，并研究了微晶硅电池中各层材料应具备的结构特性及其影响电池性能的原 因，为提高nip微晶硅电池的效率奠定了实验基础。论文主要研究内容和创新工 作如下： 系统地研究了n型硅薄膜结构对本征层结构和电池性能的影响，发现晶化率 本征层的纵向均匀性，又不至于因晶化率过高而导致本征层结构和n／i界面性能 劣化；建立了本征层的生长模型，可以直观地说明在不同n层上生长的本征层微 结构和生长过程。 采用恒定氢稀释和梯度氢稀释法，详细研究了本征层各种纵向结构分布对材 料和器件性能的影响，发现与纵向结构呈上升分布的微晶硅薄膜相比，均匀分 布使薄膜致密性提高、缺陷态密度降低，有利于提高电池性能，且均匀分布的 微晶硅电池适合的晶化率范围更宽。OES谱研究证明，在结构均匀分布薄膜的沉 积过程中，氢稀释率逐渐降低能够使整个沉积过程巾的电子温度变化缓慢，这 是使薄膜质量提高的主要原因，并确定了本征层和帅界面附近的结