硫化氢气体吸附氧化钨纳米线电学性能调控研究.pdfVIP

摘要 现代科技的核心力量便是纳米科技。一维纳米材料因其独特的结 构和优异的物理化学性质，成为构筑纳米元器件的理想材料。在众多 纳米材料中，WO。因其在电致色变、气敏传感器、阻变存储器和超导 方面有着显著的特性，受到广泛的关注与研究。本文在室温下测试了 多种氛围对W03纳米线电学性能的影响，对W03纳米线表现出的忆 阻效应进行了深入研究。通过多次实验，我们发现WO。纳米线所表 现出的忆阻性能是可以被调控的。主要研究结果如下： 1、本文使用的W03纳米线，是通过水热法得到的单分散性好的 纳米线。我们对所制备的W03纳米线进行了表征(包括XRD，SEM， EDS等)，并利用深紫外光刻微加工技术将其构建成一维纳米器件。 2、室温下，我们在空气和真空环境中通过不同电压对W03纳米 器件进行循环伏安法测试，发现其为双端欧姆接触，并在大电压下表 现出良好的忆阻效应。实验中通过恒压加脉冲的测试方法更直观地观 察到了忆阻特性。 3、在室温下测试了W03一维纳米器件在H2S气氛中以及大气中 的电学性能。发现在H2S气氛下W03纳米器件电导有所增加，