用于硅基含铜铁电容器集成的ti-al阻挡层.pdfVIP

摘要 摘要 磁控溅射法制备了Ti．AI(40nm)、超薄Ti．Al(4nm)薄膜，分别采用X射线衍射仪 Probe)、高分辨透射电子 fXRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针检测仪(Four-Point 研究了退火温度对Ti．Al薄膜阻挡性能 显微镜(HRTEM)对阻挡层性能进行了分析。 的影响。研究发现温度从室温到750℃样品表面粗糙度和方块电阻没有急剧升高，并且 XRD曲线中没有Cu．Si等杂相出现。600℃退火后超薄非晶Ti．Al阻挡层(4Im)临界面 nm) 之间仍然是非常清晰平整，并没有反应和互扩散的发生。以上研究数据说明Ti．Al(40 和Ti．Al(4rim)阻挡层在750℃仍保持良好的阻挡效果。 通过磁控溅射法制备了超薄复合阻挡层Ta(5nm)／Ti·Al(5nm)。通过XRD、AFM、