用于硅基薄膜太电池的大面积vhf-pecvd系统模拟与实验研究.pdf

摘耍 摘要 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是硅基薄膜太阳电池的主要制备技 术。目前，非晶硅(a．Si：H薄膜太阳电池的工业化生产，主要采用13．56M№ 激发的逛容耦合平行板电极PECvD反应室。然而．对于微晶硅薄膜太阳电泡． 采用高于13．56MHz激发频率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF— PECvD)，既可以实现微晶硅薄膜的高速率沉积，又能改善微晶硅薄膜材料性能。 但是，硅基薄膜太阳电池的制备要求薄膜厚度非均匀性低于±lO％．而激发频率 的提高使PECVD沉积薄膜的均匀性受到严重挑战。本论文针对大面积 VHF．PECVD系统沉积薄膜的均匀性问题，进行了以下几方面的研究工作： (一)大面积Ⅵ{F．PECvD反应室的电磁场模拟 1、针对平行板电极Ⅵ{F．PECVD反应室，建立了准平面二维电路模型．应 用该模型首先在真空条件下研究了激发频率、电极尺寸及功率馈入方式对电极 间电势差分布均匀性的影响。研究结果表明：在电极面积和激发频率确定的情 况下，功率馈入点数量和位置的优化是改善电极闻电势差分布均匀性的有效手 段；对于激发频率为40．68瑚z和电极尺寸为1．2，c0．8m2的v既．pECvD反应室，