氧化锌基阻变器的构建及其开关特性研究.pdfVIP

摘要 近年来，由于存储器的快速发展，鉴于传统非挥发性FlaS矗存储器在集成电路工艺 32nm以下时技术节点的发展瓶颈，新型非挥发阻变存储器RRAM以其特征尺寸小、存 储单元结构简单、读写速度更快、集成度更高、更低功耗，与现有半导体CMoS工艺 相兼容的特点，引起了广泛关注和研究。ZnO以其良好的电学特性成为了阻变存储器的 研究对象。 本论文主要研究结构为金属．绝缘体．金属(MIM)的氧化锌基阻变存储单元的构建及 其开关特性。采用超高真空磁控溅射法制备ZnO阻变功能层及电极薄膜；并利用原子 四探针电阻测试仪，台阶仪等分别对其物理微观结构、电学开关特性进行表征。 ’ 具体研究内容及结果如下： 1)本文分析了氧分压、基底温度、薄膜厚度等工艺条件对ZnO薄膜生长及其性能 的影响。测试结果表明，在氧分压为60％，200℃条件下生长的ZnO表面形貌与电学特 Reset电压基本不影响。 2)分析了不同电极对于zno基阻变存储单元电学开关性能的影响。通过沉积下电 下电极时具有可逆的单极阻变特性，原因是三者与Zno形成了较低的肖特基势垒；由 于Ag与ZnO薄膜形成较高的肖特基势垒，观测到双极阻变特性；灿电极没有测试到 阻变现象，分析认为是由于灿电极被氧化的原因。