新型mosfe器件结构设计、建模及特性模拟.pdf

摘要 摘要 几十年来器件尺寸遵循着等比例缩小定律持续减小，随着MOSFET器件特 征尺寸进入亚lOOnm至纳米级，器件的很多技术指标已经接近其物理极限。随 着器件沟道长度的不断减小，源漏极耗尽区占整个沟道的比重越来越大，沟道 区的二维电势分布和强电场使器件性能严重偏离长沟道器件性能，沟道内的导 电电荷越来越少，使得阈值电压减小，进而失去控制，这就是短沟道效应。当 沟道长度减小，漏极所加电压增加时，由于沟道很短，源极也受到漏极电场的 影响，在此电场的影I响下，源端势垒降低，从源区注入到沟道内的自由电子增 加，进而导致漏源电流增加，称为漏感应势垒降低效应，对于一定的源漏电 压，器件尺寸越小，漏极电流增加的越显著，最终导致器件不能关断，以致器 件无法正常]_作。当沟道长度减小到一定的程度，器件内的电场强度很强，特 别是源漏结附近，从而使载流了获得很高的能量，随即成为热载流子，热载流 子在两个方面影响器件性能：首先热载流子穿过Si-Si02势垒，注入到氧化层 中，随着电子的不断积累，阈值