新型纳米器件的能研究与建模.pdf

摘要 删嘲删嘲删㈣ 摘要 Y2805649 集成电路中半导体器件的尺寸依据摩尔定律的规律越来越小，而随着半导体 器件尺寸的不断减小，会出现严重的ShortChannel Effects(SCEs)短沟道效应和 栅极泄漏电流急剧增大等不良后果，严重影响了器件的性能。为此，研究人员致 力于探求一些新的办法，让器件尺寸能按照摩尔定律缩小的同时，又能改善和提 高器件的性能。总的来说，对于Metal．Oxide．Semiconductor (MOSFET)金属一氧化物一半导体晶体管而言，可以从栅／栅介质工程，沟道工程， 源／漏工程，新型的器件结构等四个角度来改善和提高MOSFET器件的性能。但 MOSFET在室温下，其Subthreshold Swing(ss)亚阈