新型薄膜全方位射发光二极管的设计与研究.pdfVIP

摘要 捅 要 二十世纪60年代，第一支红光发光二极管(LightEmittingDiode，LED)诞生。 在近50年的时间里，半导体光电子产业不断地前进，发展。随着红色，橙色， 黄色A1GaInP=极管和蓝色，绿色GaN基二极管的发明，使用光电二极管进行 高亮度全色照明成为了可能。因此半导体光电子技术被看为当今最具发展前景的 高技术领域之一，具有巨大的社会和经济效益。但目前市场上高亮度LED的核 心技术都被掌握在美，日等发达国家手中，国家也投入巨资，希望改变这种现状。 本文提出了一种新的基于A以u固相直接键合的A1GaInP红光LED结构，从原 理和结构设计上解决了传统A1GalnP红光LED发光效率低，热效应差等问题， 这对促进我国半导体光电事业的发展具有重大意义。 本文围绕薄膜全方位反射LED的两个关键技术：固相Au／Au直接键合技术 和全方位反光镜技术展开研究。成功地利用固相Au／Au直接键合工艺将A1GaInP 红光LED外延片从GaAs村底转移到Si衬底上，并在键合界面制作了全方位反 光镜(Omni．directional 坏性影响，具体研究内容可归纳如下： 1．固相晶片直接键合技术的研