硅基薄膜高速沉过程中的等离子体特性研究.pdf

摘要 摘要 随着太阳电池技术的发展，迫切要求进一步提高硅基薄膜材料与器件的性 能，降低其制造成本。研究与生产硅基薄膜太阳电池普遍采用以等离子体增强 化学气相沉积(PECVD)为核心工艺的技术路线，掌握等离子体特性是深入理 解薄膜生长机理的关键之一，也是研究与制备高性能硅基薄膜材料及电池的基 础。为此，本论文采用多种等离子体诊断技术，对高速沉积硅基薄膜过程中的 甚高频等离子体的微观电学参数、宏观放电特性以及气体组分等进行系列测量； 结合理论分析，探究工艺参数对等离子体特性的调控作用及其机理，以利于理 解宏观工艺参数如何调控材料性能，深化高性能硅基薄膜材料及电池的研究。 本论文的具体研究内容与创新点如下： l、电子碰撞是气体分解所需能量来源，所产生的各种离子种类、密度与沉 积薄膜的质量密切相关。为此，本论文首先测量分析了电子温度、电子密度、 离子密度以及等离子体电势等参数，研究了不同工艺条件下的等离子体中电子 与离子的能量与密度的变化规律。发现：硅烷浓度的变化，导致了等离子体中 离子种类的变化，使得电子温度与电子密度在一定的硅烷浓度下达到极值：而 对等离子体电势的影响不大。功率增加或反应气压增大时，等离子体电