同质复合栅mofet阈值电压及电阻温度效应的研究.pdfVIP

摘要 摘 要 随着器件尺寸的缩小，寄生电阻对器件性能的影响不可忽视，为准确预测器 件的寄生电阻并了解器件参数对寄生电阻的影响，需要有准确的寄生电阻模型。 本文第二章分析了短沟道寄生电阻模型，研究了短沟道寄生电阻模型在栅压 较小时与模拟结果存在较大误差的原因，并对模型进行了改进。最后分析了器件 参数对寄生电阻的影响，提出未来减小寄生电阻需要和可能采取的措施。 本文提出了一种新型的同质复合栅MOSFET 结构，结构采用了栅工程的概念， 所设计的栅由S-gate 和D-gate 两块并列组成，S-gate 用高功函数p+多晶硅， D-gate 用低功函数n+多晶硅。在复合多晶硅栅的实现工艺上，本文采用了一种 补偿注入的方法，只需利用一块S-gate 掩模板就可形成复合栅电极结构，工艺 简单可行。鉴于同质复合栅MOSFET 的电特性很多， 本文第三章主要讨论其电阻效应。方法是通过研究温度对LDDMOS 电阻中各 参数的影响，确定了受温度影响较大的参数，建立了模型，并用MEDICI 的仿真 结果进行比较，验证了模型的准确性。 本文第四章主要研究了温度对DMG-MOSFET 阈值电压