半导体表面.ppt

电子能态不同---》电荷流动-----》电势 在半导体和金属上，电荷均匀分布，等势体，能带不发生弯曲。 接触电势差定义：由于金半接触而产生的电势差，以补偿金半费米能级的差异。 ------》半导体和金属各自电势和能级水平发生变化------》达到平衡态，费米能级统一 接触电势差全部降落在间隙上。 * 间隙减小，电荷在电场作用下向界面处集中。 金属：电荷紧挨界面；其它部分无电荷、等势 半导体：空间电荷区，能带弯曲；其它部分无电荷、等势 表面势定义：半导体表面和内部之间的电势差。 * 表面态的产生？ * 表面态的产生？ * 钉扎的解释：表面态密度足够高，体内电子对表面电子能级的填充不能引起表面费米能级的变化。因此平衡后，在表面处EF距离EV顶的距离仍然为q PHI0，从而可以得到势垒高度为上式。 * 第三次课 与不考虑表面态时的区别： 1）Ws增大。 * 与不考虑表面态时的区别： 2）接触电势差主要降落在两表面之间（金属-表面态之间存在较高的电势差），只有小部分降落在空间电荷区。 * 解释该屏蔽作用。 * 该能级图形成的原理：准费米能级的概念 * * 先只考虑多子电流（电子电流），后面讨论少子注入。 注意适用条件：电流密度方程《---- 载流子散射（dl） * Ef/-q: 电势零点，且电势方向与Ef方向相反。 * 第四次课 * 结 论 镜象力和隧道效应对反向特性的影响特别显著，它们引起势垒高度的降低，使反向电流增加，而且随反向电压的提高，势垒降低更显著，反向电流也增加得更多。这样，理论结果与实际的反向特性就基本一致。 五、肖特基势垒二极管 利用金属-半导体整流接触特性制成的二极管称为肖特基势垒二极管，它和p-n结二极管具有类似的电流-电压关系，即它们都有单向导电性，但两者之间又有以下重要区别： 1）肖特基势垒二极管越过势垒的电流是多数载流子电流，不象p-n的少子注入电流那样存在电荷存储效应。因此肖特基势垒二极管的高频特性优于p-n结二极管。 2）其次，对于相同的势垒高度，肖特基二极管的JSD或JST要比p-n结的反向饱和电流JS大得多。换言之，对于同样的使用电流，肖特基势垒二极管将有较低的正向导通电压，一般为0.3V左右。 肖特基势垒二极管的应用：在高速集成电路，微波技术等领域都有很多重要应用。此外还能制作金属-半导体雪崩二极管、肖特基势垒栅场效应晶体管等。 7.3 少数载流子的注入和欧姆接触 n型阻挡层，体内电子浓度为n0，表面电子浓度为： 一、少数载流子的注入 电子的阻挡层就是空穴的积累层。在势垒区域，空穴的浓度在表面最大。用p0表示体内浓度，则表面空穴浓度为： Ec EF Ev qVD 电子：从体内到表面 空穴：从表面到体内 电子电流方向与空穴电流一致。 部分正向电流是由少数载流子载荷的。 存在浓度差?扩散运动 平衡态时被电场作用抵消： J扩散=J漂移 加正向电压?势垒降低?电场作用减弱?扩散作用占优势。 Ec EF Ev qVD 扩散 漂移 E 扩散 漂移 电子： 空穴： 在金属和n型半导体的整流接触上加正向电压时，就有空穴从金属流向半导体。这种现象称为少数载流子的注入。 如果平衡态时在接触面附近费米能级和价带顶的距离： 1）首先决定于阻挡层中的空穴浓度。只要势垒足够高，靠近接触面的空穴浓度就可以很高。 少子注入电流的大小主要取决于： 则p(0)值和no值相近，n(0)也近似等于p0，此时有外加电压时空穴电流的贡献也很重要。 2）空穴对电流贡献的大小还决定于空穴进入半导体内扩散的效率。扩散的效率越高，少数载流子对电流的贡献越大。 加正向电压时，流向半导体内的空穴不能立即复合，必然要在阻挡层内界形成一定的积累，然后再依靠扩散运动继续进入半导体内部。此时阻挡层内界的空穴浓度将比平衡时有所增加。这种积累的效果阻碍空穴的流动。 小注入条件下：（n型阻挡层） 加正向电压时，少数载流子电流与总电流之比称为少数载流子注入比，用?表示。 Au-Si二极管, ND=1016cm-3, ?~5?10-5 大注入条件，大电流极限： Au-Si二极管, ND=1015cm-3, Js=5?10-7A/cm2, 若J=350 A/cm2, ?~5% 对于探针接触，若接触球面的半径很小，注入少数载流子的扩散效果比平面接触要强得多。因而点接触容易获得高效率的注入，甚至可能绝大部分的电流都是由注入的少数载流子所载荷。 在少数载流子的注入及测量实验中，希望得到高效率的注入，因而采用探针接触最理想。而用金属探针与半导体接触以测量半导体的电阻率时，却要避免少数载流子注入的影响，为此所采取的措施是增加表面复合。 少子注入影响高频特性，为降低少子注入比