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第四章 晶体缺陷 晶体缺陷的类型 点缺陷 线缺陷 面缺陷和体缺陷 晶体中的扩散过程 理想晶体：结构基元严格按照空间点阵作周期性排列。 实际晶体：晶体中的离子或原子总是或多或少的偏离了严格的晶体周期性，即存在着各种各样的结构的不完整性。 缺陷的含义：通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。 §4-1 晶体缺陷的类型 分类方式： 几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷、体 缺陷等 形成原因：热缺陷、杂质缺陷、非化学计 量缺陷等 一、按缺陷的几何形态分类 1. 点缺陷 2. 线缺陷 3. 面缺陷 4. 体缺陷 1.点缺陷（零维缺陷） 点缺陷是对晶体结构的干扰仅限于几个原子间距范围内的晶体缺陷，缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。 空位和间隙原子是晶体中最小也是最基本的缺陷形式。热作用下，完整晶体中会自发出现空位和间隙原子，这种本体性的结构缺陷称为本征结构缺陷。 杂质原子：根据出现位置不同分为替位杂质和填隙杂质。杂质原子改变了晶体的化学成分，称为化学点缺陷。 色心：是一种非化学计量比引起的空位缺陷，该空位能够吸收可见光使原来透明的晶体出现颜色，故称它们为色心 点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关。 晶体中的点缺陷 　　 (a)空位 (b)杂质原子 (c)间隙原子 （d）色心 晶体中的点缺陷 2.线缺陷（一维缺陷） 线缺陷指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷，即缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短。位错是线缺陷的典型代表。 位错分为两种类型：刃位错、螺位错 线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。同时对晶体的一些物化性质，如晶体生长、表面吸附、催化、扩散等也有显著影响。 (a) 刃位错 　(b)螺位错 (a) (b) 3.面缺陷 （二维缺陷） 面缺陷又称为二维缺陷，是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三维方向上很小。如堆积层错、小角晶界、晶粒间界和镶嵌结构等。 面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。 面缺陷－晶粒间界 （a）倾斜晶界 （b）扭转晶界 面缺陷－堆积层错面心立方晶体中的抽出型层错(a)和插入型层错(b) 面缺陷－共格晶面面心立方晶体中{111}面反映孪晶 3.体缺陷 （三维缺陷） 体缺陷又称为三维缺陷，是指在三维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷。实际生长出的晶体往往都存在一些较大尺寸的亚微观甚至宏观结构缺陷，如包裹体、裂纹、气孔等，这些都属于体缺陷。 体缺陷的存在对晶体的力学性能会产生较大的影响，同时对大多数材料来说，体缺陷的存在使材料的强度和弹性模量降低。 二、按缺陷产生的原因分类 1. 热缺陷 2. 杂质缺陷 3. 非化学计量缺陷 4. 其它原因，如电荷缺陷，辐照缺陷等 1.热缺陷 定义:晶体中的原子或离子由于热振动的能量起伏可能离开理想的晶格位置，从而产生空位或间隙原子，这样形成的点缺陷称为热缺陷。显然，它是本征缺陷。 类型：弗仑克尔缺陷、和肖特基缺陷 热缺陷浓度与温度的关系：温度升高时，热缺陷浓度增加 2.杂质缺陷 定义:亦称为组成缺陷，是由外加杂质的引入所产生的缺陷 根据出现位置的不同分为替位杂质和填隙杂质。杂质原子改变了晶体的化学成分，称为化学点缺陷。 3.非化学计量缺陷 定义:指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷。它是由基质晶体与介质中的某些组分发生交换而产生。如Fe1－xO、Zn1+xO等晶体中的缺陷。 4. 其它原因，如电荷缺陷，辐照缺陷等 §4-2 点缺陷 空位 间隙原子 杂质原子 色心 基本缺陷形式（热缺陷） 一、热缺陷的形成与平衡浓度 热缺陷：晶体中原子或离子由于热振动的能量起伏可能离开理想的晶格位置，从而产生空位或间隙原子 热缺陷为本征结构缺陷 热缺陷的形成机制主要有弗伦克尔缺陷和肖特基缺陷两种 1.热缺陷的形成 弗伦克尔缺陷 晶格内部的原子由于热涨落由格点 跳进间隙位置，同时产生一个空位 和一个间隙原子，由这种方式产生 的空位和间隙原子对称为弗伦克尔 缺陷 肖托基缺陷 晶格中邻近表面的原子由于热涨落 跳到晶体表面，从而在晶体内留下 一个空位，称为肖托基缺陷 （a）弗伦克尔缺陷 （b）肖托基缺陷 逆过程