《电工学第七版第十四章二极管和三极管》.ppt

本章作业： P32页 14.3.6 14.3.8 14.4.3 14.5.8 14.5.9 半导体的特点： ※ 半导体的优点（与电子真空管相比） 1、体积小，重量轻 2、耗电省 3、成本低（特别是大规模生产） 总 结 掺杂半导体导电性能大大增强的原因是： 掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加！！ 14.3 半导体二极管 14.3.1 基本结构 14.3.2 伏安特性 14.3.3 主要参数 二极管电路分析举例（考点） 三 主要参数 三极管结构特点（工作的内部条件）： 1、集电区：面积最大，掺杂浓度大于基区掺杂浓度（收集电子的作用） 2、基区：最薄，掺杂浓度最低（过渡电子的作用） 3、发射区：掺杂浓度最高，远远大于集电区的掺杂浓度（发射电子的作用） 晶体管电流测量数据 2. 输出特性 四 主要参数 1. 电流放大系数，? 半导体晶体管总结（1） 晶体管的放大作用：本质：电流控制作用，即 iB对iC或iE的控制作用。 基极电流iB是由发射结间电压uBE控制的。 △ui→ △uBE → △iB → △iC 在集电极回路中串接一个负载电阻，就可以在负载电阻两端得到相应的幅度较大的变化电压。 三极管三种工作状态注：+表示 “正偏” ；-表示“反偏” 晶体管的三种工作状态对比总结（2） 本章知识点小结 本征半导体 N型、P型半导体 PN结以及多子少子概念 二极管的曲线、死区电压、UBR、导通压降 二极管电路的分析 晶体管的输入曲线、输出曲线 晶体管主要参数的意义 二极管：单向导电 三极管：电流放大（内、外条件） ?0 0.1 0.5 ?0.1 0.6 ~ 0.7 ?0.2 ~ ?0.3 0.3 ?0.1 0.7 ?0.3 硅管(NPN) 锗管(PNP) 可靠截止 开始截止 UBE/V UBE/V UCE/V UBE/V 截 止 放大 饱和 工 作 状 态 管 型 晶体管结电压的典型值 四 主要参数 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数。作用： 表示晶体管各项性能的指标； 设计、计算和调整晶体管电路不可缺少的依据； 评价晶体管的优劣和选用晶体管的依据。 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成共发射极电路时， 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 由于晶体管的输出特性曲线是非线性的，只有 在特性曲线的近于水平部分，IC随IB成正比变化， ? 值才可认为是基本恒定的。 ? 表示对电流的放大作用，常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC / mA 1 2 3 4 UCE /V 9 12 0 Q1 Q2 在 Q1 点，有 由 Q1 和Q2点，得 2.集-基极反向截止电流 ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO ?A + – EC 3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ?A ICEO IB=0 + – B E C N N P ICBO IBE ?IBE ICEO是当基极开路（ IB =0）集电结反偏发射结正偏时集电极的电流。也称为穿透电流。 数值越小越好。 ICEO=（1+ ? ） ICBO 4.集电极最大允许电流 ICM 5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 集电极电流 IC超过某一值时会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。 当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR) CEO。 6.集电极最大允许耗散功耗PCM PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。 PC ? PCM =IC UCE 硅管允许结温约为150?C，锗管约为70?90?C。 三极管正常工作要同时满足三个条件： 注：瞬时超过未必损坏 瞬时超过损坏 ICM U(BR)CEO 由三个极限参数可画出三极管的安全工作区 IC