掺杂ZnO准一维超晶格纳米结构制备与物性地研究.pdf

中国科学技术大学研究生院博士论文 摘要 摘要 具有超晶格结构的InM03(ZnO)m同系物化合物，由于拥有优良的光电性能， 一直受到人们的关注。近年来，大量的InM03(ZnO)m准一维超晶格纳米线被成 功制备。但是到目前为止，所有报道的此类化合物的准一维纳米结构全部为非公 度的超晶格纳米线。如何制备形貌更为丰富、公度性更好的InlVl03(ZnO)m纳米 结构，并且对其物理性质进行更深入的研究将是下一步InM03(ZnO)m超晶格纳 米材料研究的重点。本论文研究工作以InM03(ZnO)m纳米材料为主要研究对象， 从In203(ZnO)m平面超晶格纳米带的制备到结构表征、物理性质研究到 InGa03(ZnO)m轴向超晶格纳米线的制备与物性等几个方面，开展了一系列工作， 具体包括以下几个方面： 1．In203(ZnO)m平面超晶格纳米带制备与输运性质研究 通过化学气相沉积自组装的方法成功制备出In203(ZnO)m平面超晶格纳米 带。通过分析纳米带从宽面入射的选区电子衍射花样，结合X射线的结果，我 们判定出产物中有In203(ZnO)m平面超晶格纳米带的生成，其中超晶格的堆垛方