《电池片生产工艺》.ppt

PECVD种类 PECVD的种类： 直接式—基片位于一个电极上，直接接触等离子体（低频放电10-500kHz或高频13.56MHz） 间接式—基片不接触激发电极（如2.45GHz微波激发等离子） PECVD种类 直接式的PECVD PECVD种类 PECVD种类 间接式的PECVD PECVD种类 间接PECVD的特点： 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发NH3，而SiH4直接进入反应腔。 间接PECVD的沉积速率比直接的要高很多，这对大规模生产尤其重要。 光学参数 光学参数 厚度的均匀性(nominal 约70 nm) 同一硅片 +/- 5% 同一片盒内的硅片 +/- 5% 不同片盒内的硅片 +/- 5% 折射率 (nominal 约2.1) 同一硅片 +/- 0.5% 同一片盒内的硅片