《第3章 MOS集成电路器件基础》.pptVIP

第三章 MOS集成电路器件基础 3.1 MOS场效应管(MOSFET)的结构及符号 3.2 MOS管的电流电压特性 3.3 MOS电容 3.4 MOS管的Spice模型参数 3.5 MOS管小信号等效电路 3.1 MOS场效应管(MOSFET)的结构及符号 3.1.1 NMOS管的简化结构 NMOS管的简化结构如图3 - 1所示。 由图中可见， 该器件制作在P型衬底上(P-Substrate, 也称bulk或body, 为了区别于源极S， 衬底以B来表示)， 两个重掺杂N区形成源区和漏区， 重掺杂多晶硅区(Poly)作为栅极， 一层薄SiO2绝缘层作为栅极与衬底的隔离。 NMOS管的有效作用就发生在栅氧下的衬底表面——导电沟道(Channel)上。 由于源漏结的横向扩散， 栅源和栅漏有一重叠长度为LD， 所以导电沟道有效长度(Leff)将小于版图中所画的导电沟道总长度。 我们将用L表示导电沟道有效总长度Leff， 图3 - 1中W表示沟道宽度。 在今后的学习中， 我们将会发现， 宽长比(W/L)和氧化层厚度tox这两个参数对MOS管的性能是多么重要。 而MOS技术发展中的主要推动力就是在保证电性能参数不下降的前提下， 一代一代地缩小沟道长度L和氧化层厚度tox。 3.1.2 N阱及PMOS 为了