模拟与数字电路 宁帆 张玉艳 第10章半导体存储器新.pptVIP

第10章半导体存储器 10.1只读存储器 10.2随机读写存储器 10.3存储器容量的扩展 小结 图10-2-2所示为由6只N沟道增强型MOS管组成的静态存储单元电路。 2.静态存储单元 图10-2-2六管NMOS静态存储单元 3.动态存储单元 （1） 三管动态存储单元 N沟道增强型MOS管组成的三管动态存储单元如图10-2-3所示。 DRAM的动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理制成的。 图10-2-3三管动态存储单元 图10-2-4所示为DRAM的单管动态存储单元，它是由N沟道增强型MOS管VT和一个电容CS组成。 （2） 单管动态存储单元 图10-2-4单管动态存储单元 动态存储单元需要进行周期性刷新，其优点是元件少，功耗低，适于构成大容量的存储器。 存储器芯片种类很多，容量不一样。当一片ROM或RAM不能满足存储容量或字数、位数的要求时，需要多片存储器芯片进行扩展，形成一个容量更大，字数、位数更多的存储器。 如果一片ROM或RAM的位数不够用时，可以采用位扩展方式。 图10-1-15所示为用16片1024×1位的RAM扩展为1024×16位的RAM。 1.位扩展 图10-3-1RAM的位扩展 * * 10.1只读存储器 10.2随机读写存储器 10.3存储器容量的扩展 本章将