电子技术 王建珍 06新.ppt

§6.1 概述 §6.2 二极管的开关特性 §6.3 双极型三极管的开关特性 §6.4 MOS晶体管的开关特性 §6.5 基本逻辑门电路 §6.6 TTL集成门电路 §6.7 CMOS集成逻辑门电路 §6.6 TTL集成门电路 当控制端EN?=?1时，P点为高电平，二极管VD截止，电路的工作状态和普通与非门没有区别。这时，可能是高电平也可能是低电平，视A和B的状态而定。 图6-27 三态输出门电路图和图形符号 §6.6 TTL集成门电路 当控制端EN?=?0时，P为低电平，VT4截止、VD导通，VT3的基极电位被钳在0.7V，使VT3 截止。由于VT3和VT4同时截止，这时从输出端Y看进去，对地和对电源都相当于开路，呈现高阻，称这种状态为高阻状态。 图6-27 三态输出门电路图和图形符号 §6.6 TTL集成门电路 图6-27（a）电路在EN=1时为正常的与非工作状态，称控制端高电平有效。 图6-27（b）电路中，EN=0时为正常工作状态，称这个电路为控制端低电平有效。 图6-27 三态输出门电路图和图形符号 §6.6 TTL集成门电路 （2）三态输出门的应用 图6-28 用三态输出门接成总线结构号 　　① 用三态输出门构成单向总线。三态门可以实现用一根导线轮流传送几个不同的数据或控制信号。 §6.6 TTL集成门电路 （2）三态输出门的应用 图6-29 用三态输出门实现数据的双向传输 　　② 用三态输出门构成双向总线。 §6.7 CMOS集成逻辑门电路 6.7.1 CMOS反相器 1．电路结构 图6-30 CMOS反相器电路图 　　CMOS反相器的基本电路结构形式为一个?P?沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型MOS管串联组成。 §6.6 TTL集成门电路 将晶体管、电阻、电容及连接导线在内的整个电路制作在同一硅片上，使电路中的各个元件成为一个不可分割的固体块，这种电路称为“集成电路”（Integrated Circuit，IC）。　　 §6.6 TTL集成门电路 集成电路按照集成度（即每一片硅片中所含元器件数）的高低，将集成电路分为小规模集成电路（Small Scale Integration，SSI）、中规模集成电路（Medium Scale Integration，MSI）、大规模集成电路（Large Scale Integration，LSI）和超大规模集成电路（Very Large Scale Integration，VLSI）。　　 §6.6 TTL集成门电路 集成电路按其功能来讲，分为数字电路和模拟电路两大类。 数字集成电路按晶体管性质可分为晶体管-晶体管-逻辑电路（Transistor-Transistor Logic），TTL电路，即双极型晶体管集成电路；金属-氧化物-半导体场效应管集成电路（Metal-Oxide- Semiconductor Circuit，），简称MOS电路，即单极型晶体管集成电路。　　 §6.6 TTL集成门电路 6.6.1 TTL与非门的电路结构和工作原理　　 1．电路结构　　 图6-17 TTL与非门的典型电路 §6.6 TTL集成门电路 图6-18 多发射极晶体管的等效电路 §6.6 TTL集成门电路 图6-19 晶体管非门电路与TTL与非门输出级 §6.6 TTL集成门电路 2．工作原理　　 ① 当输入信号A，B，C中至少有一个为低电平0.3V时，　　 UY= UOH=VCC ?IB3R2?UBE3 ?UD4 = 5V?0V?0.7V?0.7V = 3.6V　　 实现与非的一项逻辑功能：输入有低电平时，输出为高电平。　　 §6.6 TTL集成门电路 2．工作原理　　 ② 当输入信号A，B，C全部为高电平3.6V时，　　 UY?= UOL=UCES4≈0.3V　　 　　实现与非的另一项逻辑功能：输入全为高电平时，输出为低电平。　　 §6.6 TTL集成门电路 图6-17 TTL与非门的典型电路 只要输入信号中有一个低电平，输出即为高电平3.6V，这时VT4截止，称电路处于关态。 只有当输入信号全为高电平，输出才为低电平0.3V，这时VT4饱和，称电路处于开态。 该电路具有与非逻辑功能，是一个与非门。　　 §6.6 TTL集成门电路 表6-7 TTL门电路各晶体管工作情况 输 出 VT1 VT2 VT3 VD4 VT4 输出高电平（关态） 饱和 截止 导通 导通 截止 输出低电平（开态） 倒置工作 饱和 截止 截止 饱和 §6.6 TTL集成门电路 　　说明： 　　① 为确保VT4饱和导通时VT3可靠截止，又在VT3的发射极下面串进了二极管VD4。 　　②