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固体材料 导体 半导体 绝缘体　 主要内容 半导体材料的分类 半导体材料的结构与价键 半导体材料的物理基础 导电特性、能带结构、载流子的散射与迁移率、 非平衡载流子、 p-n结、异质结和超晶格 典型半导体材料 硅材料、锗材料、砷化镓材料、非晶态材料 半导体材料的分类 元素半导体 半导体材料的结构 半导体材料结构与其性能密切相关，决定着材料的功能和应用。 金刚石结构 闪锌矿结构（立方硫化锌结构） 闪锌矿结构 纤锌矿结构（六方硫化锌结构） 四面体共价键与轨道杂化 四面体共价键与轨道杂化 四面体共价键与轨道杂化 半导体材料的物理基础 能带结构 画能带时只需画能量最高的价带和能量最低的导带。价带顶和导带底都称为带边，分别用Ev和Ec表示它们的能量，带隙宽度Eg＝Ec-Ev。 (2) 导带结构 a)实验发现GaAs的导带底附近等能面形状为球面，Ge、Si的等能面为旋转椭球面。因此GaAs的许多性质(如电阻率、磁阻效应等)呈各向同性，可用标量表示, Ge、Si的许多性质呈各向异性。 b)如果导带极值不在k空间原点，按对称性的要求，必然存在若干个等价的能谷。具有多个能谷的半导体称为多能谷半导体，如Ge和Si是典型的多能谷半导体。 如果导带极值在k空间原点处，只有单个极值，称为单能谷半导体，如GaAs为单能谷半导体。 (3)价带结构 以Ge，Si和GaAs为例，价带分为三支，价带顶位于k原点处，两个较高的带在k原点处简并，分别对应重空穴带和轻空穴带，虽然它们的等能面呈“扭曲”的球面形状，仍可以用各向同性的有效质量分别描述在重、轻两个空穴带中的空穴运动。 np = N- N+ exp [- (Ec-Ev)/kBT] = N- N+ exp [- Eg/kBT] Eg为禁带宽度。 注意：半导体材料的电子浓度和空穴浓度的乘积，只是温度的函数，而与EF位置无关，与掺杂无关。 例如：硅中掺砷掺得越多，即导带中电子越多，而价带中空穴将越少。 对于本征半导体，很容易得出本征载流子浓度 ni = n = p = (N- N+ )1/2 exp [- Eg/ 2kBT] 本征费米能级 Ei ? ? (Ec+Ev), 即近似位于带隙中央。ni 主要取决于Eg和温度。 半导体的电导率 导带中的电子和价带中的空穴，在相同的电场作用下，产生漂移运动，即总电流密度为： J = Jn + Jp = (ne?e + pe?p ) E 其中Jn和Jp分别为电子和空穴的电流密度；e为电子电荷量；E为电场强度。 电导率为 ? = ne?e + pe?p 取决于两个因素：载流子浓度和迁移率。 在掺杂情况下，如果一种载流子浓度远大于另一种载流子浓度，则分别称为多数载流子(简称多子)和少数载流子(简称少子)。主要是多子参与导电，上式可以简化为 ? = ne?e 或 ? = pe?p 。 非平衡载流子 非平衡载流子的复合和寿命 非平衡载流子的寿命 寿命是半导体材料最重要的参数之一，反映材料的质量。 不同的材料中非平衡载流子寿命不同： 锗（100-1000?s）、硅（50-500?s）、砷化镓（10-2-10-3?s） 材料中重金属杂质、晶体缺陷的存在、表面的性质都直接影响寿命的长短。 寿命影响器件的性能。不同的器件对非平衡载流子寿命值也有不同的要求，如对高频器件，要求寿命要小，而对探测器要求寿命要大。 非平衡载流子的复合机制 A） 直接复合： 导带电子直接跃迁到价带的某一空状态，实现复合，称为直接复合（带间复合）。如砷化镓、锑化铟中主要为直接复合。 B） 间接复合：导带电子在跃迁到价带某一空状态之前还要经历某一(或某些)中间状态，称为间接复合。能促使这种间接复合的局域中心称为复合中心，如，杂质和缺陷等。 C）表面复合：在材料表面常常存在各种复合中心。表面复合的本质也是间接复合。 非平衡载流子的扩散运动 p-n 结：半导体器件的核心 直条影区指具有相近晶格常数但不同能隙宽度的材料。 在区内材料原则上都可组成异质结超晶格。 图1中的连线是指这些材料都可形成特定的合金 (InGaAs, GaAlAs及InGaP)。  当同时有几种散射作用时，总的迁移率与各种迁移率关系为： 1/? = 1/ ?1 + 1/ ?2 + 1/ ?3 + …… 载流子迁移率受到掺杂浓度影响： 在一定温度下，晶体中杂质较少时，电离杂质散射影响小，载流子迁移率数值平稳。 掺杂浓度增加，电离杂质散射作用增强，载流子迁移率显著下降。 掺杂浓度