用TCAD对ESD器件设计验证.ppt

使用ISE-TCAD对ESD器件的设计验证 主讲人：马 飞 2012.10.10 二极管 GGNMOS: SCR： ISE-TCAD简介 由瑞士ISE公司开发，已经被SYNOPSYS公司收购，并入新版的SENTAURUS。 包括平台工具（GENESISe）、工艺仿真工具(DIOS)、器件结构生成工具(Mdraw)和电磁仿真工具(DESSIS)、曲线显示工具（INSPECT）等。 进入ISE-TCAD GENESISe操作界面 Dios工艺文件 工艺流程 栅氧生长场区刻蚀(ISE) 场区注入场区氧化阈值调整(ISE) 栅的形成LDD注入(ISE) 侧墙源/漏注入(ISE) 接触孔刻蚀金属互连（ISE） 电极定义保存输出 添加Mdraw工具 导入Mdraw优化 Mdraw界面 Mdraw导出 Dessis导入 编辑Dessis command 现场演示 ISE中Dessis仿真的书写格式 工艺仿真和MDRAW结果导入 电极定义 物理模型定义 数学算法定义 输出内容定义 电压扫描（电流扫描）定义 （dessis）仿真 Physics { EffectiveIntrinsicDensity (BandGapNarrowing (OldSlotboom)) Mobility(Dopingdependence HighFieldSaturation Enormal CarrierCarrierScattering) Recombination(SRH(DopingDependence TempDependence tunneling) Auger Avalanche(Eparallel)) Thermodynamic AnalyticTEP } Physics(MaterialInterface=Oxide/Silicon) {charge(surfconc=5.e10)} plot { eDensity hDensity eCurrent hCurrent ElectricField eQuasiFermi hQuasiFermi Potential Doping SpaceCharg SRH Auger Avalanche eMobility hMobility DonorConcentration AcceptorConcentratio EffectiveIntrinsicDensit Doping} Math { Iterations =15 NotDamped = 50 Extrapolate RelErrControl} （dessis）仿真 Solve { Poisson Coupled { Poisson Electron Hole } NewCurrentPrefix=Vt Quasistationary (Initialstep=0.02 MaxStep=0.1 Minstep=1e-5 increment=1 Goal { name=gate voltage=5} ) { Coupled { Poisson Electron Hole Temperature}} } Inspect曲线显示工具 Inspect的使用 Tecplot 看图工具 打开Exceed软件 打开putty 软件并登陆所在服务器 在putty对话框中输入以下指令： Tecplot 看图工具 Tecplot 看图工具 Tecplot 看图工具 混合仿真文件结构 程序构成（1） Device SCR{ File { Grid = n2_mdr.grd“ Doping = n2_mdr.dat Lifetime = n2_mdr.dat“ Current = n4_des.plt“ Plot = n4_des.dat } Electrode { { Name=anode Voltage=0 Area=50} { Name=cathode Voltage=0.0 Area=50} } Thermode { { name=anode temperature=300 } { name=cathode temperature=300 } } 程序构成（2） System{ Vsource_pset V1 (n1 n0) {dc=10} Vsource_pset V2 (n6 n0) {pwl=(0 0.1