SiC颗粒增强Al基复合材料的动态再结晶模型.pdfVIP

第 7期 张 鹏等 ：SiC颗粒增强Al基复合材料的动态再结晶模型 ·1167· 当应变达到0．1左右时，应变速率分别为0．01，0．1与 1 ≯(仃)=A”[sinh(ao-)] (4) S。这 3组曲线都出现了峰值应力，随后应力降低并保 式中A，，2，A，A”， ， 均为材料常数，通常情况下， 持恒值，形成稳态流变，这是典型的动态再结晶类型； 式 (2)和式 (3)分别适用于应力较低与较高时的热 而应变速率为0．001S。时，曲线在应变达到0．1以后， 变形过程描述 ，而式 (4)是式 (2)和式 (3)的更一 就基本上维持水平，这是典型的动态回复类型。 般形式，依据 图2流变应力变化 曲线，并不计弹性变 图3为部分热模拟压缩试样的显微组织。对比图 形阶段，现采用式 (4)来描述颗粒增强 A1基复合材 3和图1，可以发现变形后的试样 出现了等轴状晶粒 ， 料的热变形本构方程。 取代了挤压形成的长条晶，但这些等轴晶的晶粒大小 组合式 (1)和 (4)可得： 并不均匀，在 SiC颗粒 团聚的部位 ，晶粒比较小，而 6exp( )= sinh(ao-)] (5) 在 SiC颗粒相对稀疏的部位，晶粒又比较大。这与再 结晶形核及形核后的晶粒长大过程有关，当晶界迁移 把方程左边的 。换成 ，经变换可得： 遇到 SiC颗粒受阻时就会影响到晶粒的长大，此外增 ln[sinh( 】=1(inK - lnA)十 (1n + (6) 强颗粒周围特殊的应变场也会影响到再结晶的形核过 n 』 程，因此 SiC颗粒 的均匀分布有助于再结晶晶粒的分 在此引入Zener—Hollomon参数Z： 布均匀。 Z=exp(Q／RT) (7) 将所得双曲正弦方程利用 z参数进行变换为： 3 热变形本构方程 In[sinh(acr)】=--(InK—haA)+二lnZ (8) 一 般认为材料 的热变形行为是一个热激活过程 ， 其变形温度 、应变速率对流变应力 的影 响可用 设 =二(1nK—haA)，D= Arrhenius方程表示： n ln[sinh(acr)]=B+DInZ (9) 一 =4r(，r)、exp(一一——三__，)、 L(1) ’ 通常为了使方程得到较高的精度，方程中最好 出 其中 ()是应力的函数，通常有 3种表达形式[5】： 现高次幂项 [，