二氧化硅薄膜的制备及检测 第二题.ppt

二氧化硅薄膜的制备及检测 杨志欣 二氧化硅薄膜的制备及测试 二氧化硅的结构及性质 二氧化硅在集成电路中的主要作用 二氧化硅薄膜的制备及工艺参数 二氧化硅薄膜的检测 硅工艺发展历程 1SiO2的结构 二氧化硅按其结构一般有晶态和非晶态两种。实验证实，常规热生长模式所生成的氧化硅介质膜属非本征氧化硅介质膜结构，其主体结构单元为硅氧四面体构成的三维无序组合的网络结构。 1.2二氧化硅的主要性质 密度：密度是SiO2致密程度的标志，密度以称重法测量，无定形SiO2密度一般2.20g/cm3； 折射率：表征光学性质的参数，不同方法制备的SiO2折射率不同，但差异不大，一般致密则折射率大，当波长5500?单色光入射时，SiO2的折射率为1.46； 电阻率： SiO2是良好的绝缘体，其禁带宽度9ev。电阻率与制备方法及所含杂质等有关，干氧氧化的SiO2电阻率可达到1016Ω.cm； 介电强度：用作绝缘介质时，常用介电强度，即用击穿电压来表示SiO2薄膜耐压能力。其数值大小与致密程度、均匀性、杂质含量等有关，一般在106－107V/cm； 介电常数：表征电容性能的参数，MOS电容器 化学性质：SiO2的化学性质稳定，常温下只和HF反应。SiO2与强碱溶液也发生极慢的化学反应，生成硅酸盐。 2.集成电路中二氧化硅的主要作用： 扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4一起使用)阻挡层 作为集成电路的隔离介质材料 作为电容器的绝缘介质材料 作为多层金属互连层之间的介质材料 作为对器件表面和电路进行保护或钝化的钝化层材料 在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质 3.二氧化硅薄膜的制备 3.1化学气相沉积(CVD) 化学气相淀积是利用化学反应的方式，在反应室内，将反应物（通常是气体）生成固态生成物，并淀积在硅片表面是的一种薄膜淀积技术。因为它涉及化学反应，所以又称CVD。 CVD法又分为常压化学气相沉积(APCVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子增强化学气相沉积(PECVD)和光化学气相沉积等。 各种不同的制备方法和不同的反应体系生长SiO2所要求的设备和工艺条件都不相同,且各自拥有不同的用途和优缺点。目前最常用的是等离子体增强化学气相沉积法。 3.1.2光化学气相沉积法 使用紫外汞灯(UV2Hg)作为辐射源,利用Hg敏化原理,在SiH4+N2O混合气体中进行光化学反应。SiH4和O2分2路进入反应室,在紫外光垂直照射下,反应方程式如下 3O2 2O ·3 ( 195 nm ) O ·3 O ·+ O2 (200～ 300 nm ) 总反应式为 SiH4+ 2O2+SiO2+ 气体副产物(通N 2 排出) 3.2物理气相沉积(PVD) 物理气相沉积主要分为蒸发镀膜、离子镀膜和溅射镀膜三大类。其中真空蒸发镀膜技术出现较早,但此法沉积的膜与基体的结合力不强。在1963年,美国Sandia公司的D.M.Mattox首先提出离子镀(IonPlating)技术,1965年,美国IBM公司研制出射频溅射法,从而构成了PVD技术的三大系列——蒸发镀,溅射镀和离子镀。 3.3热氧化法 热氧化工艺是在高温(900～?1200?℃)?使硅片表面氧化形成SiO2?膜的方法,?包括干氧氧化、湿氧氧化以及水汽氧化。 其中还有一种制备超薄SiO2薄膜的新方法——快速热工艺氧化法,这种方法采用快速热工艺系统,?精确地控制高温短时间的氧化过程,?获得了性能优良的超薄SiO2薄膜。 3.3热氧化法 三种氧化方法的比较 速度 均匀重复性 结构 掩蔽性 水温 干氧： 慢 好 致密 好 湿氧： 快 较好 中 基本满足 95℃ 水汽：最快 差 疏松 较差 102℃ 3.3热氧化法 干氧氧化速度慢，氧化层结构致密，表面是非极性的硅-氧烷结构。所以与光刻胶粘附性好，不易产生浮胶现象。 水汽氧化的速度快，但氧化层结构疏松，质量不如干氧氧化的好，特别是氧化层表面是硅烷醇，存在的羟基极易吸附水，极性的水不易粘润非极性的光刻胶，所以氧化层表面与光刻胶粘附性差。 生产中经常采用干氧-湿氧-干氧结合的方法，综合了干氧氧化SiO2干燥致密，湿氧氧化速率快的优点，并能在规定时间内使SiO2层的厚度，质量合乎要求。 3.4　溶胶凝胶法 溶胶凝胶法是一种低温合成材料的方法, 是材